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1. (WO2012053081) SEMI-INSULATING SIC CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SUBSTRATE FOR DEVICE, AND SUBSTRATE FOR IC
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/053081    International Application No.:    PCT/JP2010/068522
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 20.10.2010
IPC:
C30B 29/36 (2006.01)
Applicants: NHV Corporation [JP/JP]; 47, Umezu Takase-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158686 (JP) (For All Designated States Except US).
KANEKO, Hiromi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIMOTO, Tsunenobu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KANEKO, Hiromi; (JP).
KIMOTO, Tsunenobu; (JP)
Agent: JODAI, Tetsuji; 2/F Shin-Yamamoto Bldg., 1-1-25, Dojima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300003 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMI-INSULATING SIC CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SUBSTRATE FOR DEVICE, AND SUBSTRATE FOR IC
(FR) CRISTAL SIC SEMI-ISOLANT, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT POUR DISPOSITIF ET SUBSTRAT POUR CI
(JA) 半絶縁性SiC結晶とその作製方法およびデバイス用基板、IC用基板
Abstract: front page image
(EN)The method for manufacturing a semi-insulating SiC crystal of the present invention manufactures a semi-insulating SiC crystal having a resistivity of 1 × 10+5 Ω·cm or greater by irradiating an n-type conductive SiC crystal with a donor density of 1 × 1013 - 1 × 1019 per cm3 with an electron beam having an energy of 80 keV or greater at a fluence of 1 × 10+16 per cm2 per donor density of 1 × 10+16 per cm3. The semi-insulating SiC crystal of the present invention is produced by this manufacturing method. A substrate for high frequency devices and a substrate for ICs that use this semi-insulating SiC crystal are also proposed.
(FR)Le procédé de fabrication d'un cristal SiC semi-isolant d'après la présente invention permet de fabriquer un cristal SiC semi-isolant ayant une résistivité supérieure ou égale à 1 × 10+5 Ω·cm en exposant un cristal SiC conducteur de type n ayant une densité de donneurs de 1 × 1013 - 1 × 1019 par cm3 à un faisceau d'électrons ayant une énergie supérieure ou égale à 80 keV à une fluence de 1 × 10+16 par cm2 par densité de donneurs de 1 × 10+16 par cm3. Le cristal SiC semi-isolant d'après la présente invention est produit selon ce procédé de fabrication. La présente invention concerne également un substrat pour dispositifs à hautes fréquences et un substrat pour CI qui utilisent un tel cristal SiC semi-isolant.
(JA) ドナー密度が1×1013~1×10+19ケ/cmのn型導電性SiC結晶に、80keV以上のエネルギーを有する電子線を、ドナー密度1×10+16ケ/cm当たり1×10+16ケ/cm以上のフルエンスで照射することにより、1×10+5Ω・cm以上の抵抗率を有する半絶縁性SiC結晶を作製する半絶縁性SiC結晶の作製方法。前記作製方法により作製されている半絶縁性SiC結晶。前記半絶縁性SiC結晶を用いた高周波デバイス用基板およびIC用基板。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)