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1. (WO2012052415) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING IT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/052415    International Application No.:    PCT/EP2011/068133
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 17.10.2011
IPC:
H01L 33/40 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
SCHMID, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KLEMP, Christoph [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro [ES/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SCHMID, Wolfgang; (DE).
KLEMP, Christoph; (DE).
GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München (DE)
Priority Data:
102010049186.1 21.10.2010 DE
Title (DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING IT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(DE)Es ist ein optoelektronisches Bauelement (10) vorgesehen, das einen Halbleiterkörper (1), eine dielektrische Schicht (2), einen Spiegel (3) und eine Zusatzschicht (4) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) weist eine aktive Zone (1c) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, einen n-Kontakt (1a) und einen p-Kontakt (1b) zur elektrischen Kontaktierung auf. Die dielektrische Schicht (2) ist zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegel (3) angeordnet. Die Zusatzschicht (4) ist zwischen Halbleiterkörper (1) und dielektrischer Schicht (2) angeordnet. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements (10) angegeben.
(EN)An optoelectronic component (10) is provided, which comprises a semiconductor body (1), a dielectric layer (2), a mirror (3) and an additional layer (4). The semiconductor body (1) has an active zone (1c) for generating electromagnetic radiation, an n-type contact (1a) and a p-type contact (1b) for electrical contact-making. The dielectric layer (2) is arranged between semiconductor body (1) and mirror (3). The additional layer (4) is arranged between semiconductor body (1) and dielectric layer (2). Furthermore, a method for producing a component (10) of this type is specified.
(FR)L'invention concerne un composant optoélectronique (10) qui présente un corps semi-conducteur (1), une couche diélectrique (2), un miroir (3) et une couche supplémentaire (4). Le corps semi-conducteur (1) présente une zone active (1c) pour produire un rayonnement électromagnétique, un contact n (1a) et un contact p (1b) pour la mise en contact électrique. La couche diélectrique (2) est disposée entre le corps semi-conducteur (1) et le miroir (3). La couche supplémentaire (4) est disposée entre le corps semi-conducteur (1) et la couche diélectrique (2). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel composant (10).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)