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1. (WO2012051574) ABLATIVE SCRIBING OF SOLAR CELL STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/051574    International Application No.:    PCT/US2011/056432
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 14.10.2011
IPC:
H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), B23K 26/36 (2006.01)
Applicants: GHANDOUR, Osman [US/US]; (US).
AUSTIN, Alex [US/US]; (US).
LEE, Daebong [US/US]; (US).
MIASOLE [US/US]; 2590 Walsh Ave. Santa Clara, California 95051 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: GHANDOUR, Osman; (US).
AUSTIN, Alex; (US).
LEE, Daebong; (US)
Agent: GREEN, Julienne; 2590 Walsh Ave. Santa Clara, California 95051 (US)
Priority Data:
12/904,922 14.10.2010 US
13/234,088 15.09.2011 US
Title (EN) ABLATIVE SCRIBING OF SOLAR CELL STRUCTURES
(FR) TRAÇAGE ABLATIF DE STRUCTURES DE PANNEAUX SOLAIRES
Abstract: front page image
(EN)Provided herein are improved methods of laser scribing photovoltaic structures to form monolithically integrated photovoltaic modules. The methods involve forming P1, P2 or P3 scribes by an ablative scribing mechanism having low melting, and in certain embodiments, substantially no melting. In certain embodiments, the methods involve generating an ablation shockwave at an interface of the film to be removed and the underlying layer. The film is then removed by mechanical shock. According to various embodiments, the ablation shockwave is generated by using a laser beam having a wavelength providing an optical penetration depth on the order of the film thickness and a minimum threshold intensity. In some embodiments, photovoltaic materials can be scribed using picosecond pulse widths and certain wavelength and laser fluence levels.
(FR)L'invention concerne des procédés améliorés de traçage laser de structures photovoltaïques afin de former des modules photovoltaïques intégrés d'un seul bloc. Les procédés consistent à former des tracés P1, P2 ou P3 à l'aide d'un mécanisme de traçage ablatif impliquant une faible fusion et, dans certains modes de réalisation, aucune fusion. Dans certains modes de réalisation, les procédés consistent à générer une onde de choc ablative au niveau de l'interface entre un film à éliminer et une couche sous-jacente. Le film est ensuite retiré par choc mécanique. Selon divers modes de réalisation, l'onde de choc ablative est générée en utilisant un faisceau laser ayant une longueur d'onde qui offre une profondeur de pénétration optique de l'ordre de l'épaisseur du film et une intensité seuil minimale. Dans certains modes de réalisation, des matériaux photovoltaïques peuvent être tracés en utilisant des largeurs d'impulsion picosecondes ainsi que certains niveaux de longueur d'onde et de fluence du laser.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)