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1. (WO2012051182) FABRICATION OF SINGLE-CRYSTALLINE GRAPHENE ARRAYS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/051182    International Application No.:    PCT/US2011/055771
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 11.10.2011
IPC:
C01B 31/02 (2006.01), C23C 16/26 (2006.01), C30B 29/02 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM [US/US]; 316 E. Cullen Building Houston, TX 77204 (US) (For All Designated States Except US).
YU, Qingkai [CN/US]; (US) (For US Only).
PEI, Shin-Shem [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YU, Qingkai; (US).
PEI, Shin-Shem; (US)
Agent: HULSEY, William, N., III; 919 Congress Avenue Suite 919 Austin, TX 78701 (US)
Priority Data:
61/391,866 11.10.2010 US
Title (EN) FABRICATION OF SINGLE-CRYSTALLINE GRAPHENE ARRAYS
(FR) FABRICATION DE RÉSEAUX DE GRAPHÈNE MONOCRISTALLIN
Abstract: front page image
(EN)The present disclosure demonstrates the synthesis of ordered arrays of GSC's by re- growth from pre-patterned seed crystals, offering an approach for scalable fabrication of single crystal graphene devices while avoiding domain boundaries. Each graphene island is a single crystal and every graphene island is of similar size. The size of graphene island arrays can be as small as less than 1 mm2 or as large as several m2. The distance between each GSC island is also adjustable from several micrometers to millimeters. All of the graphene islands are addressable for devices and electrical circuit fabrication.
(FR)La présente invention concerne la synthèse de réseaux ordonnés de GSC par recroissance à partir de germes cristallins préalablement façonnés, offrant une approche pour la fabrication évolutive de dispositifs à graphène monocristallin tout en évitant les limites de domaine. Chaque îlot de graphène est un monocristal et tous les îlots de graphène ont la même taille. La taille des réseaux d'îlots de graphène peut être comprise entre 1 mm2 et plusieurs mètres carrés. La distance entre chaque îlot de GSC peut également être ajustée et va de plusieurs micromètres à plusieurs millimètres. Tous les îlots de graphène peuvent être utilisés pour fabriquer des dispositifs et des circuits électriques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)