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1. (WO2012051120) TWO SILICON-CONTAINING PRECURSORS FOR GAPFILL ENHANCING DIELECTRIC LINER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/051120    International Application No.:    PCT/US2011/055641
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 10.10.2011
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (For All Designated States Except US).
BHATIA, Sidharth [IN/US]; (US) (For US Only).
HAMANA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
GEE, Paul Edward [US/US]; (US) (For US Only).
VENKATARAMAN, Shankar [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BHATIA, Sidharth; (US).
HAMANA, Hiroshi; (JP).
GEE, Paul Edward; (US).
VENKATARAMAN, Shankar; (US)
Agent: BERNARD, Eugene, J.; Kilpatrick Townsend & Stockton LLP Two Embarcadero Center, 8th Floor San Francisco, California 94111 (US)
Priority Data:
61/393,604 15.10.2010 US
13/182,671 14.07.2011 US
Title (EN) TWO SILICON-CONTAINING PRECURSORS FOR GAPFILL ENHANCING DIELECTRIC LINER
(FR) DEUX PRÉCURSEURS CONTENANT DU SILICIUM POUR LE REMPLISSAGE DES INTERSTICES AMÉLIORANT LE REVÊTEMENT DIÉLECTRIQUE
Abstract: front page image
(EN)Aspects of the disclosure pertain to methods of depositing silicon oxide layers on substrates. In embodiments, silicon oxide layers are deposited by flowing a silicon-containing precursor having a Si-O bond, an oxygen-containing precursor and a second silicon-containing precursor, having both a Si-C bond and a Si-N bond, into a semiconductor processing chamber to form a conformal liner layer. Upon completion of the liner layer, a gap fill layer is formed by flowing a silicon-containing precursor having a Si-O bond, an oxygen-containing precursor into the semiconductor processing chamber. The presence of the conformal liner layer improves the ability of the gap fill layer to grow more smoothly, fill trenches and produce a reduced quantity and/or size of voids within the silicon oxide filler material.
(FR)Les aspects de la divulgation concernent des procédés de dépôt de couches d'oxyde de silicium sur des substrats. Dans les formes de réalisation, les couches d'oxyde de silicium sont déposées par écoulement d'un précurseur contenant du silicium ayant une liaison Si-O, d'un précurseur contenant de l'oxygène et d'un second précurseur contenant du silicium, ayant à la fois une liaison Si-C et une liaison Si-N, dans une chambre de traitement de semi-conducteur pour former une couche de revêtement conforme. Lors de l'achèvement de la couche de revêtement, une couche de remplissage des interstices est formée par écoulement d'un précurseur contenant du silicium ayant une liaison Si-O, un précurseur contenant de l'oxygène dans la chambre de traitement de semi-conducteur. La présence de la couche de revêtement conformé améliore la capacité de la couche de remplissage des interstices à croître plus uniformément, à remplir les tranchées et à produire une quantité et/ou une taille réduite des vides dans le matériau de remplissage d'oxyde de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)