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1. (WO2012051060) SUPERLATTICE QUANTUM WELL INFRARED DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/051060    International Application No.:    PCT/US2011/055220
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 07.10.2011
Chapter 2 Demand Filed:    13.08.2012    
IPC:
G01J 5/20 (2006.01), G01J 5/02 (2006.01)
Applicants: UD HOLDINGS, LLC [US/US]; 7636 Amboy St. Dearborn Heights, Michigan 48127 (US) (For All Designated States Except US).
KRYSKOWSKI, David [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KRYSKOWSKI, David; (US)
Agent: SULTANA, Martin J.; Brooks Kushman P.C. 1000 Town Center Twenty-Second Floor Southfield, Michigan 48075 (US)
Priority Data:
61/391,996 11.10.2010 US
Title (EN) SUPERLATTICE QUANTUM WELL INFRARED DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR INFRAROUGE DE PUITS QUANTIQUE EN SUPER-RÉSEAU
Abstract: front page image
(EN)In at least one embodiment, an infrared (IR) sensor comprising a thermopile is provided. The thermopile comprises a substrate and an absorber. The absorber is positioned above the substrate and a gap is formed between the absorber and the substrate. The absorber receives IR from a scene and generates an electrical output indicative of a temperature of the scene. The absorber is formed of a super lattice quantum well structure such that the absorber is thermally isolated from the substrate. In another embodiment, a method for forming an infrared (IR) detector is provided. The method comprises forming a substrate and forming an absorber with a plurality of alternating first and second layers with a super lattice quantum well structure. The method further comprises positioning the absorber about the substrate such that a gap is formed to cause the absorber to be suspended about the substrate.
(FR)Selon au moins un mode de réalisation, l'invention concerne un capteur infrarouge (IR) comprenant une thermopile. La thermopile comprend un substrat et un absorbeur. L'absorbeur est disposé au-dessus du substrat et un jour est formé entre l'absorbeur et le substrat. L'absorbeur reçoit l'IR depuis une scène et génère une sortie électrique indiquant une température de la scène. L'absorbeur consiste en une structure de puits quantique en super-réseau de sorte que l'absorbeur soit thermiquement isolé du substrat. Dans un autre mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de formation d'un détecteur infrarouge (IR). Le procédé consiste à former un substrat et à former un absorbeur en utilisant plusieurs premières et secondes couches alternantes ainsi qu'une structure de puits quantique en super-réseau. Le procédé consiste en outre à positionner l'absorbeur autour du substrat de sorte qu'un jour soit formé et que l'absorbeur soit ainsi suspendu autour du substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)