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1. (WO2012050869) ATMOSPHERIC-PRESSURE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/050869    International Application No.:    PCT/US2011/053624
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 28.09.2011
IPC:
H05H 1/24 (2006.01)
Applicants: NDSU RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 1735 NDSU Research Park Drive, Suite 124 Department 4400, P.O. Box 6050 Fargo, ND 58108-6050 (US) (For All Designated States Except US).
SRINIVASAN, Guruvenket [IN/US]; (US) (For US Only).
SAILER, Robert [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SRINIVASAN, Guruvenket; (US).
SAILER, Robert; (US)
Agent: SINGER, Christopher, P.; Michael Best & Friedrich LLP 100 East Wisconsin Avenue Suite 3300 Milwaukee, WI 53202-4108 (US)
Priority Data:
61/387,256 28.09.2010 US
Title (EN) ATMOSPHERIC-PRESSURE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ACTIVÉ PAR PLASMA SOUS PRESSION ATMOSPHÉRIQUE
Abstract: front page image
(EN)Provided are silicon-containing films with a refractive index suitable for antireflection, articles having a surface comprising the films, and atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition (AE-PECVD) processes for the formation of surface films and coatings. The processes generally include providing a substrate, providing a precursor comprising silicon, and reacting the precursor with a gas comprising nitrogen (N2) in a low-temperature plasma at atmospheric pressure, wherein the products of the reacting form a film on the substrate. An antireflection coating made by the process can have a refractive index of about 1.5 to about 2.2. Articles are provided having a surface that includes the antireflection coating.
(FR)Cette invention concerne des pellicules contenant du silicium ayant un indice de réfraction adapté pour des propriétés antireflet, des articles ayant une surface comprenant lesdites pellicules, et des procédés de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (AE-PECVD) sous pression atmosphérique utilisés pour la formation de pellicules superficielles et de revêtements. Les procédés consistent généralement à fournir un substrat, un précurseur contenant du silicium, et à faire réagir le précurseur avec un gaz contenant de l'azote (N2) dans un plasma basse température à pression atmosphérique, les produits de réaction formant une pellicule sur le substrat. Le procédé de l'invention permet d'obtenir un revêtement antireflet d'un indice de réfraction d'environ 1,5 à environ 2,2. L'invention concerne également des articles dont la surface comprend le revêtement antireflet.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)