WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012050134) TAPE FOR PROCESSING WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING TAPE FOR PROCESSING WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/050134    International Application No.:    PCT/JP2011/073436
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 12.10.2011
IPC:
H01L 21/301 (2006.01), C09J 7/02 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
Applicants: TANIGUCHI Kouhei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUZAKI Takayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATOU Shinya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOMORIDA Kouji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MASHINO Michio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKUTA Tatsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATOU Rie [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TANIGUCHI Kouhei; (JP).
MATSUZAKI Takayuki; (JP).
KATOU Shinya; (JP).
KOMORIDA Kouji; (JP).
MASHINO Michio; (JP).
SAKUTA Tatsuya; (JP).
KATOU Rie; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2010-232726 15.10.2010 JP
61/446,987 25.02.2011 US
Title (EN) TAPE FOR PROCESSING WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING TAPE FOR PROCESSING WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) BANDE POUR TRAITEMENT DE TRANCHE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE BANDE POUR TRAITEMENT DE TRANCHE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)In a tape (1) for processing a wafer, corresponding to a region (P) to be attached to a wafer ring (14), semicircular or tongue-like cuts (11) that face the center side of an adhesive layer (3) in planar view are formed with a depth that reaches a peeling base material (2) from the side of a base material film (5). With the cuts (11) thus formed, portions of a cohesive layer (4) and the base material film (5) peel first, said portions being outside of the cuts (11), and the portion inside of the cuts (11) is left in a protruding state on a wafer ring (14) when a peeling force operates to the tape (1). Consequently, peeling strength between the tape (1) and the wafer ring (14) is improved, and peeling of the tape (1) from the wafer ring (14) in a manufacture step is suppressed.
(FR)Dans une bande (1) pour traiter une tranche, correspondant à une région (P) devant être fixée sur une bague de tranche (14), des découpes semi-circulaires ou en forme de languette (11) qui sont tournées vers le côté central d'une couche adhésive (3) dans une vue en plan sont formées avec une profondeur qui atteint un matériau de base de pelage (2) à partir du côté d'un film de matériau de base (5). Les découpes (11) étant ainsi formées, des parties d'une couche de cohésion (4) et du film de matériau de base (5) se pèlent en premier, lesdites parties étant à l'extérieur des découpes (11), et la partie à l'intérieur des découpes (11) est laissée dans un état en saillie sur une bague de tranche (14) lorsqu'une force de pelage s'exerce sur la bande (1). En conséquence, une résistance au pelage entre la bande (1) et la bague de tranche (14) est améliorée, et un pelage de la bande (1) à partir de la bague de tranche (14) dans une étape de fabrication est supprimé.
(JA) ウェハ加工用テープ1では、ウェハリング14への貼付領域Pに対応して、平面視において接着剤層3の中心側を向く半円状又は舌片状の切込部11が基材フィルム5側から剥離基材2に到達する深さで形成されている。切込部11の形成により、ウェハ加工用テープ1に剥離力が作用すると、粘着剤層4及び基材フィルム5において切込部11よりも外側の部分が先に剥離し、切込部11よりも内側の部分は凸状をなした状態でウェハリング14に残るようになる。これにより、ウェハ加工用テープ1とウェハリング14との間の剥離強度を向上させることができ、工程中にウェハ加工用テープ1がウェハリング14から剥離することを抑制できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)