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1. (WO2012050064) LITHOGRAPHIC RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOUND THAT COMPRISES RESIN INCLUDING POLYETHER STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/050064    International Application No.:    PCT/JP2011/073233
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 07.10.2011
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), C08G 65/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP) (For All Designated States Except US).
OKUYAMA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SOMEYA, Yasunobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATO, Masakazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHINJO, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HASHIMOTO, Keisuke [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OKUYAMA, Hiroaki; (JP).
SOMEYA, Yasunobu; (JP).
KATO, Masakazu; (JP).
SHINJO, Tetsuya; (JP).
HASHIMOTO, Keisuke; (JP)
Agent: HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2010-231217 14.10.2010 JP
Title (EN) LITHOGRAPHIC RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOUND THAT COMPRISES RESIN INCLUDING POLYETHER STRUCTURE
(FR) COMPOSÉ FILMOGÈNE DE SOUS-COUCHE DE RÉSIST LITHOGRAPHIQUE QUI COMPREND UNE RÉSINE COMPRENANT UNE STRUCTURE DE POLYÉTHER
(JA) ポリエーテル構造を含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a resist underlayer film-forming compound for forming a resist underlayer that has heat resistance properties and hard-mask characteristics. [Solution] A lithographic resist underlayer film-forming compound that comprises a polymer including a unit structure represented by formula (1) (where Ar1 represents an organic group that includes a C6—C50 arylene group or heterocyclic group), a unit structure represented by formula (2) (where Ar2, Ar3, and Ar4 each represent an organic group that includes a C6—C50 arylene group or heterocyclic group, and T represents a carbonyl group or a sulfonyl group), or a combination of these unit structures. The arylene-group-containing organic groups Ar1 and Ar2 are organic groups that include a fluorene structure.
(FR)L'invention a pour but de proposer un composé filmogène de sous-couche de résist pour former une sous-couche de résist qui a des propriétés de résistance à la chaleur et des caractéristiques de masque dur. À cet effet, l'invention concerne un composé filmogène de sous-couche de résist lithographique qui comprend un polymère comprenant une structure unitaire représentée par la formule (1) (dans laquelle Ar1 représente un groupe organique qui comprend un groupe arylène en C6-C50 ou un groupe hétérocyclique), une structure unitaire représentée par la formule (2) (dans laquelle Ar2, Ar3 et Ar4 représentent chacun un groupe organique qui comprend un groupe arylène en C6-C50 ou un groupe hétérocyclique, et T représente un groupe carbonyle ou un groupe sulfonyle), ou une combinaison de ces structures unitaires. Les groupes organiques Ar1 et Ar2 contenant un groupe arylène sont des groupes organiques qui comprennent une structure fluorène.
(JA)【課題】 耐熱性を有し、且つハードマスク特性を有するレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(1):(式(1)中、Arは炭素数6乃至50のアリーレン基又は複素環基を含む有機基を表す。)で表される単位構造、下記式(2):(ただし、式(2)中、Ar、Ar、及びArはそれぞれ炭素数6乃至50のアリーレン基又は複素環基を含む有機基を表し、Tはカルボニル基またはスルホニル基を表す。)で表される単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。上記Ar及びArのアリーレン基を含む有機基が、フルオレン構造を含む有機基である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)