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Pub. No.:    WO/2012/050018    International Application No.:    PCT/JP2011/072941
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 05.10.2011
H01J 37/153 (2006.01), H01J 37/21 (2006.01)
Applicants: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP) (For All Designated States Except US).
SOHDA Yasunari [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHASHI Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YANO Tasuku [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUKUDA Muneyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAHASHI Noritsugu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SOHDA Yasunari; (JP).
OHASHI Takeyoshi; (JP).
YANO Tasuku; (JP).
FUKUDA Muneyuki; (JP).
TAKAHASHI Noritsugu; (JP)
Agent: POLAIRE I.P.C.; 7-1, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
Priority Data:
2010-232630 15.10.2010 JP
(JA) 電子ビーム装置
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides an electron beam device comprising a source of electrons (101) and an objective deflector (106), said electron beam device obtaining an image on the basis of signals of secondary electrons, etc. (104) which are emitted from a material (109) by an electron beam (102) being projected. The electron beam device further comprises a bias chromatic aberration correction element, further comprising: an electromagnetic deflector (123) which is positioned closer to the source of electrons than the objective deflector; and an electrostatic deflector (122) which has a narrower interior diameter than the electromagnetic deflector, is positioned within the electromagnetic deflector such that the heightwise position from the material overlaps with the electromagnetic deflector, and is capable of applying an offset voltage. It is thus possible to provide an electron beam device with which it is possible to alleviate geometric aberration (parasitic aberration) caused by deflection and implement deflection over a wide field of view with high resolution.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif à faisceau d'électrons comprenant une source d'électrons (101) et un déflecteur d'objectif (106), ledit dispositif à faisceau d'électrons obtenant une image sur la base de signaux d'électrons secondaires, etc. (104) qui sont émis à partir d'un matériau (109) par un faisceau d'électrons (102) qui est projeté. Le dispositif à faisceau d'électrons comprend en outre un élément de correction d'aberration chromatique de biais, comprenant en outre : un déflecteur électromagnétique (123) qui est positionné plus proche de la source d'électrons que le déflecteur d'objectif ; et un déflecteur électrostatique (122) qui a un diamètre intérieur plus étroit que le déflecteur électromagnétique, est positionné à l'intérieur du déflecteur électromagnétique de telle sorte que la position dans le sens de la hauteur à partir du matériau se superpose avec le déflecteur électromagnétique, et est apte à appliquer une tension de décalage. Il est ainsi possible de fournir un dispositif à faisceau d'électrons au moyen duquel il est possible d'éviter une aberration géométrique (aberration parasite) provoquée par une déviation et de mettre en œuvre une déviation sur un large champ de vision à résolution élevée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)