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1. (WO2012050018) ELECTRON BEAM DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/050018    International Application No.:    PCT/JP2011/072941
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 05.10.2011
IPC:
H01J 37/153 (2006.01), H01J 37/21 (2006.01)
Applicants: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP) (For All Designated States Except US).
SOHDA Yasunari [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHASHI Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YANO Tasuku [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUKUDA Muneyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAHASHI Noritsugu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SOHDA Yasunari; (JP).
OHASHI Takeyoshi; (JP).
YANO Tasuku; (JP).
FUKUDA Muneyuki; (JP).
TAKAHASHI Noritsugu; (JP)
Agent: POLAIRE I.P.C.; 7-1, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
Priority Data:
2010-232630 15.10.2010 JP
Title (EN) ELECTRON BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU D'ÉLECTRONS
(JA) 電子ビーム装置
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides an electron beam device comprising a source of electrons (101) and an objective deflector (106), said electron beam device obtaining an image on the basis of signals of secondary electrons, etc. (104) which are emitted from a material (109) by an electron beam (102) being projected. The electron beam device further comprises a bias chromatic aberration correction element, further comprising: an electromagnetic deflector (123) which is positioned closer to the source of electrons than the objective deflector; and an electrostatic deflector (122) which has a narrower interior diameter than the electromagnetic deflector, is positioned within the electromagnetic deflector such that the heightwise position from the material overlaps with the electromagnetic deflector, and is capable of applying an offset voltage. It is thus possible to provide an electron beam device with which it is possible to alleviate geometric aberration (parasitic aberration) caused by deflection and implement deflection over a wide field of view with high resolution.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif à faisceau d'électrons comprenant une source d'électrons (101) et un déflecteur d'objectif (106), ledit dispositif à faisceau d'électrons obtenant une image sur la base de signaux d'électrons secondaires, etc. (104) qui sont émis à partir d'un matériau (109) par un faisceau d'électrons (102) qui est projeté. Le dispositif à faisceau d'électrons comprend en outre un élément de correction d'aberration chromatique de biais, comprenant en outre : un déflecteur électromagnétique (123) qui est positionné plus proche de la source d'électrons que le déflecteur d'objectif ; et un déflecteur électrostatique (122) qui a un diamètre intérieur plus étroit que le déflecteur électromagnétique, est positionné à l'intérieur du déflecteur électromagnétique de telle sorte que la position dans le sens de la hauteur à partir du matériau se superpose avec le déflecteur électromagnétique, et est apte à appliquer une tension de décalage. Il est ainsi possible de fournir un dispositif à faisceau d'électrons au moyen duquel il est possible d'éviter une aberration géométrique (aberration parasite) provoquée par une déviation et de mettre en œuvre une déviation sur un large champ de vision à résolution élevée.
(JA)本発明は、電子源(101)と対物偏向器(106)を備え、電子ビーム(102)が照射されることにより試料(109)から発生する2次電子等(104)の信号に基づいて画像を得る電子ビーム装置において、前記対物偏向器より前記電子源側に配置された電磁偏向器(123)と、前記電磁偏向器よりも内径が小さく、前記試料からの高さ位置が前記電磁偏向器と重なるように前記電磁偏向器の内側に配置され、オフセット電圧印加可能な静電偏向器(122)とを含む偏向色収差補正素子を有することを特徴とする。これにより、偏向起因の幾何収差(寄生収差)を抑制でき、広い視野での偏向を高分解能で実現することのできる電子ビーム装置を提供することができるようになった。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)