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1. (WO2012050016) ELASTIC SURFACE WAVE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/050016    International Application No.:    PCT/JP2011/072932
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 05.10.2011
IPC:
H03H 9/25 (2006.01), H01L 23/02 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAZAKI, Hisashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMAZAKI, Hisashi; (JP)
Agent: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Priority Data:
2010-232697 15.10.2010 JP
Title (EN) ELASTIC SURFACE WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE DE SURFACE
(JA) 弾性表面波装置
Abstract: front page image
(EN)An elastic surface wave device having high heat dissipating properties is provided. The elastic surface wave device (1) comprises: a piezoelectric substrate (10); IDT electrodes (11, 12); a cover (15); and wirings (13, 14). The IDT electrodes (11, 12) are formed on a main face (10a) of the piezoelectric substrate (10). The cover (15) is joined to the main face (10a). The wirings (13, 14) extend as far as the joining section of the main face (10a) and the cover (15). Through-holes (15b1, 15b2) which face the wirings (13, 14) are formed in the cover (15). The elastic surface wave device (1) further comprises: under-bump metal elements (16a, 16b) which are formed within the through-holes (15b1, 15b2); and bumps (18a, 18b) which are formed on the under-bump metal elements (16a, 16b). In plan view, the under-bump metal elements (16a, 16b) are provided in a region that is wider than the joining section of the under-bump metal elements (16a, 16b) and the bumps (18a, 18b).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à onde élastique de surface ayant des propriétés de dissipation de chaleur élevées. Le dispositif à onde élastique de surface (1) comprend : un substrat piézoélectrique (10) ; des électrodes IDT (11, 12) ; un couvercle (15) ; et des câblages (13, 14). Les électrodes IDT (11, 12) sont formées sur une face principale (10a) du substrat piézoélectrique (10). Le couvercle (15) est assemblé à la face principale (10a). Des câblages (13, 14) s'étendent aussi loin que les sections d'assemblage de la face principale (10a) et du couvercle (15). Des trous traversants (15b1, 15b2) qui sont tournés vers les câblages (13, 14) sont formés dans le couvercle (15). Le dispositif à onde élastique de surface (10a) comprend en outre : des éléments métalliques sous bossage (16a, 16b) qui sont formés à l'intérieur des trous traversants (15b1, 15b2) ; et des bossages (18a, 18b) qui sont formés sous les éléments métalliques sous bossage (16a, 16b). Dans une vue en plan, les éléments métalliques sous bossage (16a, 16b) sont disposés dans une région qui est plus large que la section d'assemblage des éléments métalliques sous bossage (16a, 16b) et des bossages (18a, 18b).
(JA) 放熱性の高い弾性表面波装置を提供する。 弾性表面波装置1は、圧電基板10と、IDT電極11,12と、カバー15と、配線13,14とを備えている。IDT電極11,12は、圧電基板10の主面10aの上に形成されている。カバー15は、主面10aに接合されている。配線13,14は、主面10aとカバー15との接合部にまで至っている。カバー15には、配線13,14に臨む貫通孔15b1,15b2が形成されている。弾性表面波装置1は、貫通孔15b1,15b2内に形成されたアンダーバンプメタル16a、16bと、アンダーバンプメタル16a、16bの上に形成されたバンプ18a、18bとをさらに備える。平面視において、アンダーバンプメタル16a、16bは、アンダーバンプメタル16a、16bとバンプ18a、18bとの接合部よりも広い領域に設けられている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)