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1. (WO2012049893) RECTANGULAR-SHAPED SILVER (Ag) CLAD STEEL-RIBBON FOR HIGH TEMPERATURE SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/049893    International Application No.:    PCT/JP2011/065487
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 06.07.2011
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), B21B 1/22 (2006.01), B23K 20/04 (2006.01), B32B 15/01 (2006.01)
Applicants: TANAKA DENSHI KOGYO K.K. [JP/JP]; Tokyo Building 22F, 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006422 (JP) (For All Designated States Except US).
MIKAMI Michitaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAJIMA Shinichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIYAZAKI Kenichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUO Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MIKAMI Michitaka; (JP).
NAKAJIMA Shinichiro; (JP).
MIYAZAKI Kenichi; (JP).
MATSUO Hiroshi; (JP)
Agent: KOHNO Naotaka; KOHNO-YAMAMOTO-ARAI & CO. Honcho Building 4F 4-5-14 Nihonbashi- Honcho Chuo-ku, Tokyo 1030023 (JP)
Priority Data:
2010-231495 14.10.2010 JP
Title (EN) RECTANGULAR-SHAPED SILVER (Ag) CLAD STEEL-RIBBON FOR HIGH TEMPERATURE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) RUBAN RECTANGULAIRE D'ACIER REVÊTU D'ARGENT (Ag) POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS À HAUTES TEMPÉRATURES
(JA) 高温半導体素子用平角状銀(Ag)クラッド銅リボン
Abstract: front page image
(EN)[Problem] In a silver clad steel ribbon for a high temperature semiconductor device, improving bonding reliability with the pad electrode interface and suppressing clad layer peeling at the cladding interface. [Solution] The silver clad steel ribbon of the present invention comprises a high-purity silver clad layer and a high-purity steel core material tape. After cladding, a clad-layer processing structure is removed using a heat treatment at 450-750°C, thereby suppressing the development of the processing structure constituted by a highly deformed fine crystal structure of a cladding layer formed at a pad interface when bonding, reducing the difference in hardness with other regions of the clad layer and thus preventing the occurrence of cracks. By forming fine powdered crystal structures under a high-heat use environment, diffusion of A1 and the like from a pad layer is suppressed, generation of inter-metallic compounds of the pad interface and the clad interface is suppressed, and bonding strength and reliability are improved.
(FR)La présente invention se propose, dans le cas d'un ruban d'acier revêtu d'argent, qui est destiné à un dispositif à semi-conducteurs à hautes températures, d'améliorer la fiabilité de la cohésion avec l'interface de la pointe d'électrode à table, et d'éviter de faire peler la couche de garniture au niveau de l'interface du revêtement. À cet effet, l'invention propose un ruban d'acier revêtu d'argent comprenant une couche de revêtement d'argent de haute pureté, et un ruban de substance noyau en acier de haute pureté. Après application de la couche de revêtement, pour retirer une structure de traitement de couche de revêtement, on a recours à un traitement thermique à 450-750°C. Cela a pour effet, d'arrêter le développement de la structure de traitement constituée d'une structure hautement déformée constituée des cristaux fins de la couche de revêtement prenant naissance pendant le soudage à l'interface de la pointe d'électrode à table, et par conséquent de réduire la différence de dureté avec les autres régions de la couche de revêtement, et donc de prévenir la fissuration. En constituant des structures en poudre à fins cristaux dans un environnement d'utilisation à haute température, on évite la diffusion de l'argent et analogue à partir d'une couche de la pointe d'électrode à table, on évite la génération de composés intermétalliques de l'interface de la pointe d'électrode à table, et on améliore la résistance mécanique et la fiabilité des soudures.
(JA)【課題】高温半導体素子用銀クラッド銅リボンにおけるパッド電極界面との接合信頼性の向上、クラッド界面のクラッド層剥がれの抑制。 【解決手段】高純度の銀クラッド層と高純度の銅芯材テープからなる銀クラッド銅リボンにおいて、クラッド加工後に450~750℃で熱処理してクラッド層の加工組織を解消しておくことにより、ボンディング時にパッド界面に形成されるクラッド層の高歪の微細な結晶組織からなる加工組織の発達を抑制して、クラッド層の他の領域との硬さの差を小さくしてクラック発生を防止すると共に高温使用環境下で微細な粒状結晶組織を形成して、パッド層からのAlなどの拡散を抑制し、パッド界面及びクラッド界面の金属間化合物 の生成を抑制し、接合強度と信頼性向上する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)