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1. (WO2012049885) RANGE SENSOR AND RANGE IMAGE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/049885    International Application No.:    PCT/JP2011/063845
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 16.06.2011
IPC:
G01S 17/89 (2006.01), G01S 7/48 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (For All Designated States Except US).
MASE Mitsuhito [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MASE Mitsuhito; (JP).
SUZUKI Takashi; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2010-229781 12.10.2010 JP
Title (EN) RANGE SENSOR AND RANGE IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE DISTANCE ET CAPTEUR D'IMAGE DE DISTANCE
(JA) 距離センサ及び距離画像センサ
Abstract: front page image
(EN)A rectangular light-receiving region has a pair of long sides having the planar shapes thereof facing one another in a first direction, and a pair of short sides facing one another in a second direction. First and second semiconductor regions (FD1, FD2) are positioned respectively along each long side so as to be spatially separated from one another. First and second gate electrodes (TX1, TX2) are positioned between the corresponding semiconductor regions (FD1, FD2) and the light-receiving region. Third gate electrodes (TX31, TX32) are respectively positioned so as to be spatially separated from one another and between the first and second gate electrodes (TX1, TX2) positioned along the long sides. The third gate electrodes (TX31, TX32) have: first electrode sections (TX3a) positioned between third semiconductor regions (FD3) and the light-receiving region; and second electrode sections (TX3b) having a narrower width in the second direction than that of the first electrode sections, and positioned so as to overlap with the light-receiving region.
(FR)Selon l'invention, une région de réception de lumière rectangulaire a une paire de longueurs ayant les formes planes de celles-ci se faisant mutuellement face dans une première direction, et une paire de largeurs se faisant mutuellement face dans une seconde direction. Des première et seconde régions semi-conductrices (FD1, FD2) sont positionnées respectivement le long de chaque longueur, de façon à être séparées dans l'espace les unes des autres. Des première et deuxième électrodes de grille (TX1, TX2) sont positionnées entre les régions semi-conductrices correspondantes (FD1, FD2) et la région de réception de lumière. Des troisièmes électrodes de grille (TX31, TX32) sont respectivement positionnées de façon à être séparées dans l'espace les unes des autres et entre les première et deuxième électrodes de grille (TX1, TX2) positionnées le long des longueurs. Les troisièmes électrodes de grille (TX31, TX32) ont : des premières sections d'électrode (TX3a) positionnées entre les troisièmes régions semi-conductrices (FD3) et la région de réception de lumière ; et des secondes sections d'électrode (TX3b) ayant une largeur plus étroite dans la seconde direction que celle des premières sections d'électrode, et positionnées de façon à chevaucher la région de réception de lumière.
(JA) 受光領域は、平面形状が第1方向で対向する一対の長辺と第2方向で対向する一対の短辺とを有する長方形状である。第1及び第2半導体領域FD1,FD2は、各長辺に沿って互いに空間的に離間して配置される。第1及び第2ゲート電極TX1,TX2は、対応する半導体領域FD1,FD2と受光領域との間に配置される。第3ゲート電極TX3,TX3は、長辺に沿って配置された第1及び第2ゲート電極TX1,TX2の間に空間的に離間してそれぞれ配置される。第3ゲート電極TX3,TX3は、第3半導体領域FD3と受光領域との間に位置する第1電極部分TX3aと、受光領域と重複し且つ第2方向での幅が第1電極部分よりも狭い第2電極部分TX3bと、を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)