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1. (WO2012049792) METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/049792    International Application No.:    PCT/JP2011/003582
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 23.06.2011
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKANISHI, Yosuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAWADA, Takao [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKANISHI, Yosuke; (JP).
SAWADA, Takao; (JP)
Agent: TAKAHASHI, Shogo; c/o Mitsubishi Electric Corporation Corporate Intellectual Property Division, 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Priority Data:
2010-232678 15.10.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to control the warpage of a wafer by removing at least part of an affected layer formed on a ground surface, and to reduce the warpage of the wafer that occurs in a subsequent electrode forming step performed on the rear surface and the front surface, when substrate thinning is introduced in a step of producing a silicon carbide semiconductor device. The warpage in this case is reduced to such an extent that the warpage does not affect the production process. A method for producing a silicon carbide semiconductor device, the method comprising the steps of: forming an activated region on a first main surface of a silicon carbide substrate; grinding, from a second main surface opposite to the first main surface, the silicon carbide substrate on which the activated region has been formed; removing, from the second main surface, the ground silicon carbide substrate that has been warped with the second main surface protruding, thereby reducing the warpage; forming a rear-surface electrode on the second main surface of the silicon carbide substrate where the warpage has been reduced and the second main surface is protruding; and forming a front-surface electrode on the first main surface of the silicon carbide substrate where the rear-surface electrode has been formed.
(FR)La présente invention vise à contrôler la déformation d'une tranche par élimination d'au moins une partie d'une couche affectée qui est formée sur une surface de base et à réduire la déformation de la tranche qui se produit dans une étape ultérieure de formation d'électrode sur la surface postérieure et la surface antérieure, lorsqu'une étape d'amincissement du substrat est ajoutée à l'étape de production d'un dispositif semiconducteur en carbure de silicium. La déformation est réduite dans ce cas au point que celle-ci n'affecte plus le processus de production. L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif semiconducteur en carbure de silicium, comprenant les étapes suivantes : former une région activée sur une première surface principale d'un substrat de carbure de silicium ; rectifier, à partir d'une seconde surface principale, opposée à la première surface principale, le substrat de carbure de silicium sur lequel a été formée la région activée ; éliminer, à partir de la seconde surface principale, le substrat de carbure de silicium rectifié qui a été déformé avec formation d'une saillie par la seconde surface principale, ce qui réduit la déformation ; former une électrode de surface postérieure sur la seconde surface principale du substrat de carbure de silicium où la déformation a été réduite et où la seconde surface principale fait saillie ; et former une électrode de surface antérieure sur la première surface principale du substrat de carbure de silicium où a été formée l'électrode de surface postérieure.
(JA)炭化珪素半導体素子作製工程に基板薄板化を導入した際、研削面に形成される加工変質層の少なくとも一部を除去することでウエハの反り量を制御し、その後の裏面及び表面の電極形成工程で発生するウエハの反り量を、製造プロセスに影響しない値まで軽減させることを目的とする。炭化珪素基体の第1主面に活性化領域を形成する工程と、活性化領域の形成された炭化珪素基体を第1主面に対向する第2主面から研削する工程と、研削され第2主面を凸にして反った炭化珪素基体を第2主面から除去加工し、反りを軽減する工程と、反りが軽減され第2主面を凸にして反った炭化珪素基体の第2主面に裏面電極を形成する工程と、裏面電極の形成された炭化珪素基体の第1主面に表面電極を形成する工程を備えている炭化珪素半導体素子の製造方法である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)