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1. (WO2012049304) METHOD FOR FABRICATING A FREE-STANDING GROUP III NITRIDE SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/049304    International Application No.:    PCT/EP2011/068015
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 14.10.2011
IPC:
C30B 29/40 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), C30B 33/06 (2006.01)
Applicants: KEWAR HOLDINGS S.A. [LU/LU]; 43, boulevard Joseph II L-1840 Luxembourg (LU) (For All Designated States Except US).
MEYER, Bernd [DE/DE]; (DE) (For US Only).
NIKOLAEV, Vladimir [RU/RU]; (RU) (For US Only)
Inventors: MEYER, Bernd; (DE).
NIKOLAEV, Vladimir; (RU)
Agent: PIIRONEN, Mikko; Papula OY Mechelininkatu 1 a FI-00180 Helsinki (FI)
Priority Data:
61/393,135 14.10.2010 US
Title (EN) METHOD FOR FABRICATING A FREE-STANDING GROUP III NITRIDE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT AUTONOME DE NITRURE DU GROUPE III
Abstract: front page image
(EN)A method for fabricating a free-standing group III nitride substrate (100) comprises the steps of depositing a first group III nitride layer (102) on a growth substrate (101); forming a mechanically weakened sacrificial layer (110); depositing a second group III nitride layer (107) on the first group III nitride layer (102); and separating the second group III nitride layer (107) from the growth substrate (101) along the sacrificial layer (110). According to the present invention, the step of forming a mechanically weakened sacrificial layer (110) comprises forming openings (105) extending from the free surface of the first group III nitride layer (102) to the interfacial region (109) between the first group III nitride layer (102) and the growth substrate (101); and etching laterally, via the openings (105), the first group III nitride layer (102) in said interfacial region (109).
(FR)Le procédé de fabrication d'un substrat autonome de nitrure du groupe III (100) selon l'invention comprend les étapes de dépôt d'une première couche de nitrure du groupe III (102) sur un substrat de croissance (101) ; de formation d'une couche sacrificielle mécaniquement affaiblie (110) ; de dépôt d'une seconde couche de nitrure du groupe III (107) sur la première couche de nitrure du groupe III (102) ; et de séparation de la seconde couche de nitrure du groupe III (107) d'avec le substrat de croissance (101) le long de la couche sacrificielle (110). Selon la présente invention, l'étape de formation d'une couche sacrificielle mécaniquement affaiblie (110) comprend la formation d'ouvertures (105) s'étendant depuis la surface libre de la première couche de nitrure du groupe III (102) jusqu'à la région interfaciale (109) entre la première couche de nitrure du groupe III (102) et le substrat de croissance (101) ; et la gravure latérale, via les ouvertures (105), de la première couche de nitrure du groupe III (102) dans ladite région interfaciale (109).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)