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1. (WO2012048534) PROCESS FOR CLEANING COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/048534    International Application No.:    PCT/CN2011/001721
Publication Date: 19.04.2012 International Filing Date: 14.10.2011
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: BEIJING TONGMEI XTAL TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 4 East Second Road, Tongzhou Industrial Development Zone Tongzhou District Beijing 101113 (CN) (For All Designated States Except US).
REN, Diansheng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
LIU, Qinghui [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: REN, Diansheng; (CN).
LIU, Qinghui; (CN)
Agent: PEKSUNG INTELLECTUAL PROEPRTY LTD; 908 Shining Tower 35 Xueyuan Road Haidian District Beijing 100191 (CN)
Priority Data:
201010513860.7 15.10.2010 CN
Title (EN) PROCESS FOR CLEANING COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) TRAITEMENT DE NETTOYAGE DE PLAQUETTE À SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉE
(ZH) 化合物半导体晶片清洗方法
Abstract: front page image
(EN)A process for cleaning a compound semiconductor wafer; the compound semiconductor wafer comprises, taking gallium arsenide (GaAs) as a representative, a Group III-V compound semiconductor wafer. The process comprises the following steps: treating a wafer with a system of diluted ammonia water, hydrogen peroxide and water at a temperature not higher than 20°C; rinsing the wafer with deionised water; treating the wafer with an oxidizer; rinsing the wafer with deionised water; treating the wafer with a solution of a diluted acid or a diluted base; rinsing the wafer with deionised water; and drying the wafer. This process can improve the cleanliness, the micro-roughness, and the uniformity of the wafer's surface.
(FR)La présente invention concerne un traitement conçu pour nettoyer une plaquette à semi-conducteurs composée. Cette plaquette à semi-conducteurs composée est une plaquette à semi-conducteurs comprenant des éléments des Groupes III-V tels que l'arséniure de gallium (GaAs). Le traitement comprend les étapes suivantes: traitement d'une plaquette avec un système réunissant de l'hydroxyde d'ammonium dilué, du peroxyde d'hydrogène et de l'eau, à une température n'excédant pas 20°C; rinçage de la plaquette avec de l'eau désionisée; traitement de la plaquette avec un oxydant; rinçage de la plaquette avec de l'eau désionisée; traitement de la plaquette avec une solution d'acide dilué ou avec une solution de base diluée; rinçage de la plaquette avec de l'eau désionisée; et séchage de la plaquette. Ce traitement permet d'améliorer la propreté, la microrugosité, et l'uniformité de la surface de la plaquette.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)