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1. (WO2012048108) RADIATION PATTERNABLE CVD FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/048108    International Application No.:    PCT/US2011/055102
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 06.10.2011
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (For All Designated States Except US).
WEIDMAN, Timothy W. [US/US]; (US) (For US Only).
MICHAELSON, Timothy [US/US]; (US) (For US Only).
DEATON, Paul [US/US]; (US) (For US Only).
INGLE, Nitin K. [US/US]; (US) (For US Only).
MALLICK, Abhijit Basu [IN/US]; (US) (For US Only).
CHATTERJEE, Amit [IN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WEIDMAN, Timothy W.; (US).
MICHAELSON, Timothy; (US).
DEATON, Paul; (US).
INGLE, Nitin K.; (US).
MALLICK, Abhijit Basu; (US).
CHATTERJEE, Amit; (US)
Agent: CRISTALDI, Michelle; Diehl Servilla LLC 33 Wood Avenue South Second Floor, Suite 210 Iselin, New Jersey 08830 (US)
Priority Data:
61/390,396 06.10.2010 US
13/267,341 06.10.2011 US
Title (EN) RADIATION PATTERNABLE CVD FILM
(FR) FILM CVD MODELABLE PAR RAYONNEMENT
Abstract: front page image
(EN)Methods for forming photoresists sensitive to radiation on a substrate are provided. Described are chemical vapor deposition methods of forming films (e.g., silicon-containing films) as photoresists using a plasma which may be exposed to radiation to form a pattern. The deposition methods utilize precursors with cross- linkable moieties that will cross-link upon exposure to radiation. Radiation may be carried out in the with or without the presence of oxygen. Exposed or unexposed areas may then be developed in an aqueous base developer.
(FR)La présente invention concerne des procédés pour former des résines photosensibles au rayonnement sur un substrat. La présente invention concerne des procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de formation de films (par exemple, des films contenant du silicium) en tant que résines photosensibles utilisant un plasma qui peuvent être exposées à un rayonnement pour former un motif. Les procédés de dépôt utilisent des précurseurs avec des fragments réticulables qui sont réticulés par exposition à un rayonnement. Un rayonnement peut être appliqué en présence ou en l'absence d'oxygène. Les zones exposées ou non exposées peuvent ensuite être développées dans un révélateur à base aqueuse.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)