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1. (WO2012047819) APPARATUS AND METHODS FOR PLASMA ETCHING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/047819    International Application No.:    PCT/US2011/054653
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 03.10.2011
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: SKYWORKS SOLUTIONS, INC. [US/US]; 20 Sylvan Road Woburn, MA 01801 (US) (For All Designated States Except US).
BERKOH, Daniel, K. [US/US]; (US) (For US Only).
WOODARD, Elena, B. [US/US]; (US) (For US Only).
SCOTT, Dean, G. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BERKOH, Daniel, K.; (US).
WOODARD, Elena, B.; (US).
SCOTT, Dean, G.; (US)
Agent: ALTMAN, Daniel, E.; Knobbe Martens Olson & Bear, LLP 2040 Main Street Fourteenth Floor Irvine, CA 92614 (US)
Priority Data:
12/898,579 05.10.2010 US
12/898,576 05.10.2010 US
12/898,615 05.10.2010 US
Title (EN) APPARATUS AND METHODS FOR PLASMA ETCHING
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉS POUR GRAVURE AU PLASMA
Abstract: front page image
(EN)Apparatus and methods for plasma etching are disclosed. In one embodiment, an apparatus for etching a plurality of features on a wafer comprises a chamber (146), a feature plate (148) disposed in the chamber for holding the wafer, a gas channel (106) configured to receive a plasma source gas, an anode (142) disposed above the feature plate, a cathode (143) disposed below the feature plate, a radio frequency power source (144) configured to provide a radio frequency voltage between the anode and the cathode so as to generate plasma ions from the plasma source gas, and a clamp (250) configured to clamp the wafer against the feature plate. The clamp includes at least one measurement hole (251) for passing a portion of the plasma ions to measure a DC bias of the feature plate.
(FR)L'invention porte sur un appareil et sur des procédés pour gravure au plasma. Dans un mode de réalisation, un appareil pour graver une pluralité d'éléments sur une tranche comprend une chambre (146), une plaque d'éléments (148) disposée dans la chambre pour supporter la tranche, un canal de gaz (106) configuré de façon à recevoir un gaz de source de plasma, une anode (142) disposée au-dessus de la plaque d'éléments, une cathode (143) disposée en dessous de la plaque d'éléments, une source d'alimentation haute fréquence (144) configurée de façon à fournir une tension à haute fréquence entre l'anode et la cathode de façon à générer des ions de plasma à partir du gaz de source de plasma, et une pince (250) configurée de façon à serrer la tranche contre la plaque d'éléments. La pince comprend au moins un trou de mesure (251) pour faire passer une partie des ions de plasma afin de mesurer une polarisation continue de la plaque d'éléments.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)