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1. (WO2012046778) METHOD FOR PRODUCING LAMINATE BY FORMING FILM BY MEANS OF PLASMA CVD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/046778    International Application No.:    PCT/JP2011/072998
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 05.10.2011
IPC:
C23C 16/42 (2006.01), C23C 16/503 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (For All Designated States Except US).
HASEGAWA Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KURODA Toshiya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SANADA Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HASEGAWA Akira; (JP).
KURODA Toshiya; (JP).
SANADA Takashi; (JP)
Agent: TANAI Sumio; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Priority Data:
2010-228913 08.10.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING LAMINATE BY FORMING FILM BY MEANS OF PLASMA CVD
(FR) PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE STRATIFIÉ PAR LA FORMATION DE FILM AU MOYEN D'UN DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
(JA) プラズマCVD成膜による積層体の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A laminate film exhibiting sufficient gas barrier properties can be provided by using the method of the present invention. The laminate film is produced by means of a method for producing a laminate using a plasma CVD film-forming device provided with a vacuum chamber, a pair of film-forming rolls which are arranged facing one another in parallel or approximately in parallel and which have a magnetic field generating member in the interior, and a plasma power source having a polarity that reverses. The method involves: supplying a film-forming gas containing oxygen gas and an organic silicon compound gas to a film-forming space formed between the film-forming rolls while transferring a substrate wound around the film-forming rolls such that a first section and a second section of the surface of the substrate in the lengthwise direction face one another within the vacuum chamber; generating a magnetic field in the film-forming space by means of the magnetic field generating member; and generating a discharge plasma between the film-forming rolls by means of the plasma power source. As a consequence, a thin film layer is continuously formed on the substrate. The pressure in the film-forming space is 0.1 to 2.5 Pa, and the flow rate of the organic silicon compound gas is 85 to 230 sccm at 0°C and 1 atm per 1 m2/min of the areal velocity of the substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant d'obtenir un film stratifié présentant des propriétés de barrière suffisantes. Le film stratifié est produit au moyen d'un procédé pour la production d'un stratifié mettant en œuvre un dispositif de formation de film par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma équipé d'une chambre sous vide, d'une paire de rouleaux de formation de film qui sont disposés l'un en regard de l'autre en parallèle ou plus ou moins en parallèle et renfermant un organe de génération de champ magnétique, et d'une source d'énergie plasma ayant une polarité qui s'inverse. Le procédé comprend: l'alimentation d'un gaz filmogène contenant du gaz oxygène et un gaz de composé de silicium organique à un espace de formation de film formé entre les rouleaux de formation de film tout en transférant un substrat enroulé autour des rouleaux de formation de film de sorte qu'une première section et une seconde section de la surface du substrat dans la direction longitudinale soient l'une en face de l'autre à l'intérieur de la chambre sous vide ; la génération d'un champ magnétique dans l'espace de formation de film au moyen de l'organe de génération de champ magnétique ; et la génération d'une décharge plasma entre les rouleaux de formation de film au moyen de la source d'énergie plasma. Par conséquent, une couche de film mince est formée en continu sur le substrat. La pression dans l'espace de formation de film est comprise entre 0,1 et 2,5 Pa, et le débit du gaz de composé de silicium organique est compris entre 230 sccm à 0°C et 1 atmosphère pour 1 m2/minute de la vitesse aréolaire du substrat.
(JA) 本発明の方法を用いると、十分なガスバリア性を有する積層フィルムが提供される。この積層フィルムは、真空チャンバーと、平行ないしほぼ平行に対向して配置され、内部に磁場発生部材を備えている一対の成膜ロールと、極性が反転するプラズマ電源とを備えるプラズマCVD成膜装置を用いて行われる積層体の製造方法であって、 前記真空チャンバー内で、長尺の基材の表面の第一の部分と、該基材の表面の第二の部分とが対向するように前記基材を前記成膜ロールに巻き掛けた状態で該基材を搬送しながら、前記成膜ロールの間の成膜空間に有機珪素化合物のガスと酸素ガスを含む成膜ガスを供給し、前記磁場発生部材により前記成膜空間に磁場を発生させ、前記成膜ロール間に前記プラズマ電源により放電プラズマを発生させ、これにより、該基材上に連続的に薄膜層を形成する方法であって、前記成膜空間の圧力が0.1~2.5Paであり、前記有機珪素化合物のガスの流量が、基材の面積速度1m/分あたり、0℃、1気圧基準で85~230sccmである方法により製造される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)