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1. (WO2012046738) ORGANIC EL DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/046738    International Application No.:    PCT/JP2011/072885
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 04.10.2011
IPC:
H05B 33/04 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01), F21Y 105/00 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (For All Designated States Except US).
ONO Yoshinobu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ONO Yoshinobu; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl. 1-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2010-228320 08.10.2010 JP
Title (EN) ORGANIC EL DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 有機EL装置
Abstract: front page image
(EN)An organic EL device provided with a first film, a second film disposed facing the first film, and an organic EL element interposed between the first film and the second film. The second film is provided with a gas barrier layer containing a silicon atom, an oxygen atom, and a carbon atom. The silicon distribution curve, the oxygen distribution curve and the carbon distribution curve of the gas barrier layer satisfy the following conditions: (i) the ratio of the number of silicon atoms is the second largest in a region accounting for 90 % or more in the thickness direction of the gas barrier layer; (ii) the carbon distribution curve has at least one extreme value; and (iii) the difference between the maximum value and the minimum value of the ratio of the number of carbon atoms is 5 atom % or more in the carbon distribution curve.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent (EL) organique, comprenant un premier film, un second film disposé en face du premier film, et un élément EL organique interposé entre le premier film et le second film. Le second film comprend une couche barrière contre les gaz contenant un atome de silicium, un atome d'oxygène, et un atome de carbone. La courbe de répartition de silicium, la courbe de répartition d'oxygène, et la courbe de répartition de carbone de la couche barrière contre les gaz satisfont aux conditions suivantes : (i) le rapport du nombre d'atomes de silicium est le deuxième plus grand dans une région représentant 90 % ou plus dans la direction de l'épaisseur de la couche barrière contre les gaz ; (ii) la courbe de répartition de carbone présente au moins une valeur extrême ; et (iii) la différence entre la valeur maximum et la valeur minimum du rapport du nombre d'atomes de carbone est supérieure ou égale à 5 % atomiques dans la courbe de répartition de carbone.
(JA)第1のフィルムと、第1のフィルムと対向して配置された第2のフィルムと、第1のフィルムと前記第2のフィルムとの間に介在する有機EL素子と、を備える有機EL装置。第2のフィルムは、珪素原子、酸素原子及び炭素原子を含有するガスバリア層を有する。ガスバリア層の珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線が、下記条件: (i)ガスバリア層の厚み方向の90%以上の領域において、珪素原子の数の比率が2番目に大きい値である、 (ii)炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有する、及び (iii)炭素分布曲線における炭素原子の数の比率の最大値と最小値との差が5原子%以上である、 を満たす。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)