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Pub. No.:    WO/2012/046719    International Application No.:    PCT/JP2011/072841
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 04.10.2011
H01L 31/0224 (2006.01), H01B 1/22 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Applicants: SHOEI CHEMICAL INC. [JP/JP]; 1-1, Nishishinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630443 (JP) (For All Designated States Except US).
KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAMURA, Masami [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHINDO, Naoto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KANASAKU, Tadashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ATOBE, Junichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAMURA, Masami; (JP).
SHINDO, Naoto; (JP).
KANASAKU, Tadashi; (JP).
ATOBE, Junichi; (JP)
Agent: SAKAI, Masami; Akasaka Office Heights, 13-5, Akasaka 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Priority Data:
2010-227448 07.10.2010 JP
(JA) 太陽電池素子およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A solar cell element according to one embodiment of the present invention comprises: a semiconductor substrate; an antireflection film that is arranged in a first region on one main surface of the semiconductor substrate; and a surface electrode that is arranged in a second region on the main surface of the semiconductor substrate, is mainly composed of silver, and contains tellurium-based glass that essentially contains tellurium, tungsten and bismuth. A method for manufacturing the solar cell element comprises: a first step wherein the antireflection film is formed on the main surface of the semiconductor substrate; a second step wherein a conductive paste, which contains a conductive powder that is mainly composed of silver, a tellurium-based glass frit that contains, as essential components, tellurium, tungsten and bismuth, and an organic vehicle, is printed on the antireflection film; and a third step wherein the antireflection film located under the conductive paste is removed by firing the conductive paste, so that the antireflection film is arranged in the first region of the semiconductor substrate and the surface electrode is formed in the second region of the semiconductor substrate.
(FR)La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, un élément de cellule solaire comprenant : un substrat semi-conducteur ; un film antireflet, qui est agencé dans une première région sur une surface principale du substrat semi-conducteur ; et une électrode de surface, qui est agencée dans une seconde région sur la surface principale du substrat semi-conducteur, qui est principalement composée d'argent, et qui contient du verre à base de tellure contenant essentiellement du tellure, du tungstène, et du bismuth. L'invention concerne également un procédé de fabrication de l'élément de cellule solaire, comprenant les étapes suivantes : une première étape de formation du film antireflet sur la surface principale du substrat semi-conducteur ; une deuxième étape d'impression, sur le film antireflet, d'une pâte conductrice contenant une poudre conductrice principalement composée d'argent, d'une fritte de verre à base de tellure contenant comme composants essentiels du tellure, du tungstène, et du bismuth, et d'un véhicule organique ; et une troisième étape de retrait du film antireflet situé sous la pâte conductrice par cuisson de la pâte conductrice, de façon à ce que le film antireflet soit agencé dans la première région du substrat semi-conducteur et que l'électrode de surface soit formée dans la seconde région du substrat semi-conducteur.
(JA) 本発明の一形態に係る太陽電池素子は、半導体基板と、該半導体基板の一主面上の第1領域に配置された反射防止膜と、前記半導体基板の一主面上の第2領域に配置されており、銀を主成分とし、テルル、タングステンおよびビスマスを必須成分とするテルル系ガラスを含む表面電極とを備えている。また、上記太陽電池素子の製造方法は、前記半導体基板の一主面上に前記反射防止膜を形成する第1工程と、銀を主成分とする導電性粉末と、テルル、タングステンおよびビスマスを必須成分とするテルル系ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含む導電性ペーストを、前記反射防止膜上に印刷する第2工程と、前記導電性ペーストを焼成して前記導電性ペーストの下に位置している前記反射防止膜を除去することによって、前記反射防止膜を前記半導体基板の前記第1領域に配置させて、前記半導体基板の前記第2領域に前記表面電極を形成する第3工程とを有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)