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1. (WO2012046705) DIELECTRIC FILM FORMATION DEVICE AND DIELECTRIC FILM FORMATION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/046705    International Application No.:    PCT/JP2011/072804
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 03.10.2011
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
Applicants: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (For All Designated States Except US).
KIMURA, Isao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
JINBO, Takehito [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Hiroki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ENDOU, Youhei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OONISHI, Youhei [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KIMURA, Isao; (JP).
JINBO, Takehito; (JP).
KOBAYASHI, Hiroki; (JP).
ENDOU, Youhei; (JP).
OONISHI, Youhei; (JP)
Agent: ISHIJIMA, Shigeo; Toranomonkougyou Bldg., 3F, 1-2-18, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2010-227009 06.10.2010 JP
Title (EN) DIELECTRIC FILM FORMATION DEVICE AND DIELECTRIC FILM FORMATION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION D'UN FILM DIÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM DIÉLECTRIQUE
(JA) 誘電体成膜装置及び誘電体成膜方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a dielectric film formation device and a dielectric film formation method that are able to form a dielectric film having a (100)/(001) orientation. The dielectric film formation device (10) has an adhesion-prevention-plate heating unit (19) that heats an adhesion-prevention plate (34) disposed at a position at which particles released from a target (21) adhere. Sputtering gas is introduced from a sputtering gas introduction unit (14) into a vacuum chamber (11), and the adhesion-prevention plate (34) is heated to a temperature that is higher than the film-formation temperature, causing vapor to be released from the thin film adhered to the adhesion-prevention plate (34) and forming a seed layer on a substrate (31). Afterwards, the substrate (31) is caused to be at the film-formation temperature, AC voltage is applied to the target (21) from a power source (13), and the target is (21) is sputtered, forming a dielectric film on the substrate (31).
(FR)La présente invention concerne un dispositif de formation d'un film diélectrique et un procédé de formation d'un film diélectrique qui peuvent former un film diélectrique présentant une orientation (100)/(001). Le dispositif (10) de formation de film diélectrique comprend une unité (19) de chauffage d'une plaque-empêchant-l'adhésion qui chauffe une plaque-empêchant-l'adhésion (34) placée à un endroit au niveau duquel les particules libérées par une cible (21) adhèrent. Du gaz de pulvérisation cathodique est introduit par une unité (14) d'introduction de gaz de pulvérisation cathodique, dans une chambre à vide (11), et la plaque-empêchant-l'adhésion (34) est chauffée à une température qui est supérieure à la température de formation d'un film, ce qui provoque la libération de vapeur par le film mince qui a adhéré à la plaque-empêchant-l'adhésion et la formation d'une couche germe sur un substrat (31). Ensuite, le substrat (31) est porté à la température de formation d'un film, une tension CA est appliquée à la cible (21) à partir d'une source de puissance (13) et la cible (21) est pulvérisée, formant ainsi un film diélectrique sur le substrat (31).
(JA) (100)/(001)配向した誘電体膜を形成できる誘電体成膜装置及び誘電体成膜方法を提供する。 誘電体成膜装置10は、ターゲット21から放出された粒子が付着する位置に配置された防着板34を加熱する防着板加熱部19を有している。スパッタガス導入部14から真空槽11内にスパッタガスを導入し、防着板34を成膜温度よりも高い温度に加熱して、防着板34に付着された薄膜から蒸気を放出させ、基板31にシード層を形成した後、基板31を成膜温度にし、電源13からターゲット21に交流電圧を印加して、ターゲット21をスパッタし、基板31に誘電体膜を成膜する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)