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1. (WO2012046695) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/046695    International Application No.:    PCT/JP2011/072786
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 03.10.2011
IPC:
H01L 21/52 (2006.01), C09J 5/06 (2006.01), C09J 11/00 (2006.01), C09J 201/00 (2006.01)
Applicants: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630449 (JP) (For All Designated States Except US).
SUGIURA Yoshifumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUJII Shinjiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORI Shuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SUGIURA Yoshifumi; (JP).
FUJII Shinjiro; (JP).
MORI Shuichi; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2010-225005 04.10.2010 JP
2010-225008 04.10.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)This method for manufacturing a semiconductor device is characterized by providing: a first step for providing a resin paste coating (30) by applying a resin paste for bonding that has 5% by mass or less content of a solvent that contains a photocurable component and a heat-curable component to a semiconductor support member (10) for mounting a semiconductor chip; a second step for photocuring the photocurable component by irradiating the coating (30) with light; and a third step for sandwiching, attaching by pressure, and joining the light irradiated coating (32) between the semiconductor support member (10) and a semiconductor chip (50). In addition, this resin paste for bonding is characterized by containing a photopolymerizable compound for which the viscosity at 25°C is 100 Pa·s, a heat-curable compound, and a thermoplastic elastomer and the solvent content being 5% by mass or less.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend : une première étape de fourniture d'un revêtement en pâte de résine (30), par application d'une pâte de résine servant au collage et présentant un contenu de solvant inférieur ou égal à 5 % en masse, contenant un composant photodurcissable et un composant pouvant durcir à la chaleur, sur un élément de support semi-conducteur (10) en vue du montage d'une puce à semi-conducteurs ; une deuxième étape de photodurcissement du composant photodurcissable, par irradiation du revêtement (30) avec de la lumière ; et une troisième étape de prise en sandwich, de fixation par pression, et d'accolement du revêtement irradié par la lumière (32) entre l'élément de support semi-conducteur (10) et une puce à semi-conducteurs (50). De plus, cette pâte de résine servant au collage est caractérisée en ce qu'elle contient un composé photopolymérisable dont la viscosité à 25 °C est de 100 Pa·s, un composé pouvant durcir à la chaleur, et un élastomère thermoplastique, et en ce que le contenu de solvant est inférieur ou égal à 5 % en masse.
(JA) 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載するための半導体支持部材10上に、光硬化性成分及び熱硬化性成分を含み溶剤の含有量が5質量%以下であるダイボンディング用樹脂ペーストを印刷法により塗布して樹脂ペーストの塗膜30を設ける第1工程と、塗膜30への光照射により光硬化性成分を光硬化する第2工程と、半導体支持部材10と半導体チップ50とを、光照射された塗膜32を挟んで圧着して接合する第3工程とを備えることを特徴とする。また、本発明のダイボンディング用樹脂ペーストは、25℃における粘度が100Pa・s以下である光重合性化合物、熱硬化性化合物、及び熱可塑性エラストマーを含有し、溶剤の含有量が5質量%以下であることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)