WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012046628) OPTICAL SENSOR AND LIQUID CRYSTAL PANEL EQUIPPED WITH THE OPTICAL SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/046628    International Application No.:    PCT/JP2011/072390
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 29.09.2011
IPC:
H01L 31/10 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01), G02F 1/1335 (2006.01), G02F 1/135 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKAIWA Norihisa; (For US Only).
FUJIWARA Masahiro; (For US Only)
Inventors: TAKAIWA Norihisa; .
FUJIWARA Masahiro;
Agent: KAWAKAMI Keiko; Intelix International Aqua Dojima West 4-16, Dojimahama 1-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300004 (JP)
Priority Data:
2010-226357 06.10.2010 JP
Title (EN) OPTICAL SENSOR AND LIQUID CRYSTAL PANEL EQUIPPED WITH THE OPTICAL SENSOR
(FR) CAPTEUR OPTIQUE ET ÉCRAN À CRISTAUX LIQUIDES ÉQUIPÉ DUDIT CAPTEUR OPTIQUE
(JA) 光センサ及び該光センサを備えた液晶パネル
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide: an optical sensor having a novel structure, in which a light-receiving surface area can be secured and therefore the light detection sensitivity can be improved even when the substantial length of an intrinsic semiconductor region in the direction parallel to the forward direction of a photodiode is short; and a liquid crystal panel equipped with the optical sensor. The optical sensor comprises a photodiode (26) which comprises a semiconductor film (28) composed of a p-type semiconductor region (28p), an intrinsic semiconductor region (28i) and an n-type semiconductor region (28n), a first gate wiring (38a) which is formed above the intrinsic semiconductor region (28i) and to which a negative voltage is to be applied, and a second gate wiring (38b) which is formed above the intrinsic semiconductor region (28i) and to which a positive voltage is to be applied, wherein a given void space is formed between the first gate wiring (38a) and the second gate wiring (38b) above the intrinsic semiconductor region (28i).
(FR)La présente invention concerne un capteur optique présentant une nouvelle structure dans laquelle une surface de réception de lumière peut être fixée, permettant ainsi d'améliorer la sensibilité de détection de lumière même lorsque la longueur effective d'une région semi-conductrice intrinsèque dans la direction parallèle à la direction avant d'une photodiode est courte. L'invention concerne également un écran à cristaux liquides équipé dudit capteur optique. Le capteur optique comprend une photodiode (26), comprenant un film semi-conducteur (28) composé d'une région semi-conductrice de type p (28p), d'une région semi-conductrice intrinsèque (28i), et d'une région semi-conductrice de type n (28n), un premier câblage de porte (38a) qui est formé au-dessus de la région semi-conductrice intrinsèque (28i) et auquel s'applique une tension négative, et un second câblage de porte (38b) qui est formé au-dessus de la région semi-conductrice intrinsèque (28i) et auquel s'applique une tension positive. Un espace de vide donné est formé entre le premier câblage de porte (38a) et le second câblage de porte (38b) au-dessus de la région semi-conductrice intrinsèque (28i).
(JA) フォトダイオードの順方向と平行な方向における真性半導体領域の実質的な長さが短くても、受光面積を確保して、光検出感度を向上させることができる、新規な構造の光センサ及び該光センサを備えた液晶パネルを提供することを、目的とする。p型半導体領域(28p)と真性半導体領域(28i)とn型半導体領域(28n)とを有する半導体膜(28)を備えるフォトダイオード(26)と、真性半導体領域(28i)の上方に形成されて、負の電圧が印加される第一のゲート配線(38a)と、真性半導体領域(28i)の上方に形成されて、正の電圧が印加される第二のゲート配線(38b)とを備えており、真性半導体領域(28i)の上方において、第一のゲート配線(38a)と第二のゲート配線(38b)との間に所定の隙間が形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)