WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012046607) PATTERN FORMING METHOD AND RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/046607    International Application No.:    PCT/JP2011/072296
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 28.09.2011
IPC:
G03F 7/039 (2006.01), C08F 20/28 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/32 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: JSR CORPORATION [JP/JP]; 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKAKIBARA Hirokazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HORI Masafumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ITO Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIMURA Reiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FURUKAWA Taiichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKAKIBARA Hirokazu; (JP).
HORI Masafumi; (JP).
ITO Koji; (JP).
KIMURA Reiko; (JP).
FURUKAWA Taiichi; (JP)
Agent: AMANO Kazunori; c/o Amano & Partners, 6th Floor, Fujikogyo-Nishimotomachi Building, 1-18, Aioi-cho 1-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500025 (JP)
Priority Data:
2010-225259 04.10.2010 JP
Title (EN) PATTERN FORMING METHOD AND RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À UN RAYONNEMENT
(JA) パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a method for forming trench patterns and/or hole patterns and a radiation-sensitive resin composition which are suitable for immersion exposure and have improved etching resistance, and which are excellent for the general characteristics of resist films such as sensitivity, cross-sectional shape and resolution. The present invention is a method for forming trench patterns and/or hole patterns which includes, (1) a resist film forming step in which a radiation-sensitive resin composition is applied on a substrate, (2) an exposure step, and (3) a development step; said method being characterized in that a developing solution in the development step (3) contains at least 50 mass % of an organic solvent, and the radiation-sensitive resin composition contains, [A] a polymer that includes a structural unit (I) having an acid dissociable group and an alicyclic group, where said alicyclic group does not dissociate from a molecular chain due to the effect of acid, and [B] a radiation-sensitive acid-generating body.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former des motifs de tranchée et/ou des motifs de trou et une composition de résine sensible à un rayonnement, qui conviennent à des fins d'exposition par immersion et présentent une résistance de gravure améliorée, ainsi que d'excellentes caractéristiques générales de films de résine photosensible, p. ex. sensibilité, forme en section transversale et résolution. L'invention concerne un procédé pour former des motifs de tranchée et/ou des motifs de trou, qui comprend les étapes suivantes : (1) une étape de formation de film de résine photosensible, dans laquelle une composition de résine sensible à un rayonnement est appliquée sur un substrat ; (2) une étape d'exposition; et (3) une étape de développement. Le procédé est caractérisé en ce que la solution de développement utilisée à l'étape de développement (3), contient au moins 50% en poids d'un solvant organique, et la composition de résine sensible à un rayonnement contient : [A] un polymère qui comprend un motif structural contenant un groupe pouvant être dissocié par un acide et un groupe alicyclique, ledit groupe alicyclique ne se dissociant pas d'une chaîne moléculaire sous l'effet de l'acide, et [B] un corps générateur d'acide sensible à un rayonnement.
(JA) 本発明は液浸露光用として好適で、エッチング耐性がより向上し、感度、断面形状、解像性等のレジスト膜の一般的特性に優れるトレンチパターン及び/又はホールパターンの形成方法並びに感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明は、(1)感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、(2)露光工程、及び(3)現像工程を含むトレンチパターン及び/又はホールパターン形成方法であって、上記(3)現像工程における現像液中に有機溶媒を50質量%以上含有し、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基及び脂環式基を有する構造単位(I)を含み、この脂環式基が酸の作用により分子鎖から解離しない重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有することを特徴とするトレンチパターン及び/又はホールパターン形成方法である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)