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1. (WO2012046543) RESIST PATTERN FORMATION METHOD AND RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/046543    International Application No.:    PCT/JP2011/070770
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 12.09.2011
IPC:
G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/32 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: JSR CORPORATION [JP/JP]; 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640 (JP) (For All Designated States Except US).
ITO Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKAKIBARA Hirokazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HORI Masafumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FURUKAWA Taiichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ITO Koji; (JP).
SAKAKIBARA Hirokazu; (JP).
HORI Masafumi; (JP).
FURUKAWA Taiichi; (JP)
Agent: AMANO Kazunori; c/o Amano & Partners, 6th Floor, Fujikogyo-Nishimotomachi Building, 1-18, Aioi-cho 1-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500025 (JP)
Priority Data:
2010-225277 04.10.2010 JP
Title (EN) RESIST PATTERN FORMATION METHOD AND RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE ET COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS
(JA) レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a resist pattern formation method comprising: (1) a resist film formation step of applying a radiation-sensitive resin composition to a substrate; (2) an exposure step; and (3) a step of developing using a developing solution containing 80 mass% or more of an organic solvent; wherein the radiation-sensitive resin composition includes: [A] a base polymer having an acid-dissociable group; [B] a radiation-sensitive acid generator containing a cation and an anion, the anion having an alicyclic group and the ratio (F/C) of fluorine atoms and carbon atoms of the anion being 0.1 to 0.5; and [C] a fluorine-containing polymer in which the content ratio of fluorine atoms is higher than that of the polymer of [A].
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un motif de réserve comprenant : (1) une étape de formation d'un film de réserve consistant à appliquer sur un substrat une composition de résine sensible aux rayonnements ; (2) une étape d'exposition ; et (3) une étape de développement à l'aide d'une solution de développement contenant au moins 80 % en masse d'un solvant organique. La composition de résine sensible aux rayonnements contient : [A] un polymère de base contenant un groupe dissociable par un acide ; [B] un générateur d'acide sensible aux rayonnements contenant un cation et un anion, l'anion contenant un groupe alicyclique et le rapport (F/C) des atomes de fluor aux atomes de carbone de l'anion se situant entre 0,1 et 0,5 ; et [C] un polymère contenant du fluor, dans lequel le rapport de teneur des atomes de fluor est supérieur à celui du polymère [A].
(JA) 本発明は、(1)感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、(2)露光工程、及び(3)有機溶媒を80質量%以上含有する現像液を用いて現像する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基を有するベース重合体、[B]カチオンと脂環式基を有するアニオンとを含み、このアニオンのフッ素原子と炭素原子との原子数比(F/C)が0.1以上0.5以下である感放射線性酸発生体、及び[C]フッ素原子を含有し、[A]重合体よりもフッ素原子含有率が高い重合体を含有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)