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1. (WO2012046454) NONVOLATILE STORAGE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/046454    International Application No.:    PCT/JP2011/005637
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 06.10.2011
Chapter 2 Demand Filed:    20.05.2012    
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
MIKAWA, Takumi; (For US Only).
HAYAKAWA, Yukio; (For US Only).
NINOMIYA, Takeki; (For US Only).
KAWASHIMA, Yoshio; (For US Only).
YONEDA, Shinichi; (For US Only)
Inventors: MIKAWA, Takumi; .
HAYAKAWA, Yukio; .
NINOMIYA, Takeki; .
KAWASHIMA, Yoshio; .
YONEDA, Shinichi;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2010-229096 08.10.2010 JP
Title (EN) NONVOLATILE STORAGE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 不揮発性記憶素子およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are a variable resistance nonvolatile storage element, which stably varies resistance with a low voltage, is suitable for a capacity increase, and has excellent reliability, and a method for manufacturing the variable resistance nonvolatile storage element. A nonvolatile storage element (10) is provided with a first electrode (106), a second electrode (104), and a variable resistance layer (115), which reversibly changes a resistance value on the basis of electrical signals applied to between both the electrodes. The variable resistance layer (115) is provided with a laminated structure, in which a first transition metal oxide layer (115x) having a composition expressed by MOx, a second transition metal oxide layer (115y) having a composition expressed by MOy (x>y), and a third transition metal oxide layer (115z) having a composition expressed by MOz (y>z) are laminated in this order.
(FR)La présente invention a trait à un élément de mémoire non volatile à résistance variable, qui permet de varier de façon stable la résistance avec une faible tension, qui est approprié pour une augmentation de capacité et qui présente une excellente fiabilité, et à un procédé de fabrication de l'élément de mémoire non volatile à résistance variable. Un élément de mémoire non volatile (10) est équipé d'une première électrode (106), d'une seconde électrode (104) et d'une couche à résistance variable (115), qui permet de changer de façon réversible une valeur de résistance en fonction des signaux électriques appliqués entre les deux électrodes. La couche à résistance variable (115) est dotée d'une structure feuilletée qui est constituée d'une première couche d'oxyde métallique de transition (115x) dotée d'une composition exprimée par MOx, d'une deuxième couche d'oxyde métallique de transition (115y) dotée d'une composition exprimée par MOy (x > y), et d'une troisième couche d'oxyde métallique de transition (115z) dotée d'une composition exprimée par MOz (y > z) qui sont toutes les trois feuilletées dans cet ordre.
(JA) 低電圧で安定して抵抗変化し、大容量化に適し、なおかつ信頼性に優れた抵抗変化型の不揮発性記憶素子およびその製造方法を提供する。不揮発性記憶素子(10)は、第1の電極(106)と、第2の電極(104)と、両電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(115)とを備え、抵抗変化層(115)はMOxで表される組成を有する第1の遷移金属酸化物層(115x)と、MOy(但し、x>y)で表される組成を有する第2の遷移金属酸化物層(115y)と、MOz(但し、y>z)で表される組成を有する第3の遷移金属酸化物層(115z)とが、この順で積層された積層構造を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)