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1. (WO2012046427) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/046427    International Application No.:    PCT/JP2011/005548
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 30.09.2011
IPC:
G02F 1/1368 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
HORIUCHI, Satoshi; (For US Only).
MITSUMOTO, Kazuyori; (For US Only).
YOSHIDA, Masahiro; (For US Only)
Inventors: HORIUCHI, Satoshi; .
MITSUMOTO, Kazuyori; .
YOSHIDA, Masahiro;
Agent: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Priority Data:
2010-228189 08.10.2010 JP
Title (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT À MATRICE ACTIVE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) アクティブマトリックス基板、アクティブマトリックス基板の製造方法、及び液晶表示装置
Abstract: front page image
(EN)An active matrix substrate (20) of the present invention comprises: a substrate (21); a first signal line (22a) that is provided on the substrate; a first insulating film (23) that is provided so as to cover the substrate and the first signal line; a second signal line (24a) that is provided on the first insulating film; a second insulating film (25) that is provided so as to cover the first insulating film and the second signal line; and a pixel electrode (26a) that is provided on the second insulating film. A switching element (30) is configured at a position where the first signal line (22a) and the second signal line (24a) intersect each other, and protective films (26b) in a floating state are provided above the second insulating film (25) at intervals along the first signal line (22a) and the second signal line (24a) so as to correspond to the first signal line (22a) and the second signal line (24a), said protective films (26b) being formed of the same material as the pixel electrode (26a). According to the present invention, the first signal line (22a) and the second signal line (24a) can be prevented from being damaged by an etching liquid, and good yield can therefore be achieved.
(FR)Un substrat à matrice active (20) d'après la présente invention comprend : un substrat (21) ; une première ligne de signaux (22a) située sur le substrat ; un premier film d'isolation (23) placé de manière à recouvrir le substrat et la première ligne de signaux ; une seconde ligne de signaux (24a) située sur le premier film d'isolation ; un second film d'isolation (25) placé de manière à recouvrir le premier film d'isolation et la seconde ligne de signaux ; et une électrode de pixels (26a) située sur le second film d'isolation. Un élément de commutation (30) est agencé en une position dans laquelle les première (22a) et seconde (24a) lignes de signaux se croisent. Des films de protection (26b) dans un état de flottement sont situés au-dessus du second film d'isolation (25) à des intervalles le long des première (22a) et seconde (24a) lignes de signaux de manière à correspondre aux première (22a) et seconde (24a) lignes de signaux. Lesdits films de protection (26b) et l'électrode de pixels (26a) sont constitués du même matériau. La présente invention permet d'éviter que les première (22a) et seconde (24a) lignes de signaux ne soient endommagées par un liquide d'attaque chimique. Un rendement satisfaisant est par conséquent possible.
(JA)本発明のアクティブマトリックス基板(20)は、基板(21)と、その上に設けられた第1信号線(22a)と、これらを覆うように設けられた第1絶縁膜(23)と、その上に設けられた第2信号線(24a)と、これらを覆うように設けられた第2絶縁膜(25)と、その上に設けられた画素電極(26a)と、を備える。第1信号線(22a)及び第2信号線(24a)が交差する部分にスイッチング素子(30)が構成され、第2絶縁膜(25)の上層には、第1信号線(22a)及び第2信号線(24a)に対応するように、画素電極(26a)と同一の材料で形成されたフローティング状態の保護膜(26b)が、対応する信号線に沿って間欠的に設けられている。本発明によると、エッチング液によって第1信号線(22a)や第2信号線(24a)が損傷を受けるのを抑制することができるので、良好な歩留まりが得られる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)