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1. (WO2012046329) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/046329    International Application No.:    PCT/JP2010/067673
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 07.10.2010
IPC:
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (For All Designated States Except US).
ODA Katsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIMA Akio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIMOTO Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ODA Katsuya; (JP).
SHIMA Akio; (JP).
YOSHIMOTO Hiroyuki; (JP)
Agent: POLAIRE I.P.C.; 7-1, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku Tokyo 1040032 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCTION THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)In order to provide a semiconductor device and a method of production thereof that yields stable operation even if the device has a hole supplying structure using a tunnel current, the semiconductor device has an emitter (2) and an emitter electrode (13), a gate insulating film (4), a gate (5) and a gate electrode (14) that are formed on an obverse side of a substrate (1), and a high-density p-type layer (8), a high-density n-type layer (9) and a tunnel junction configured therebetween, that are formed on a reverse side of the substrate (1), wherein different electrodes (11,12) that are connected respectively to the high-density p-type layer (8) and the high-density n-type layer (9) are formed. Accordingly, fluctuation due to a drop in voltage when the tunnel current flows is reduced, and stable operation is made possible.
(FR)Afin de fournir un dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication permettant d'obtenir un fonctionnement stable y compris si le dispositif est doté d'une structure fournissant un trou à l'aide d'un courant à effet tunnel, le dispositif à semi-conducteur est équipé d'un émetteur (2) et d'une électrode d'émetteur (13), d'une couche isolante de grille (4), d'une grille (5) et d'une électrode de grille (14) qui sont formés sur le côté face d'un substrat (1), ainsi que d'une couche de type P haute densité (8), d'une couche de type N haute densité (9) et d'une jonction à effet tunnel qui est configurée entre ces dernières, qui sont toutes formées sur le côté verso du substrat (1), différentes électrodes (11,12) qui sont connectées respectivement à la couche de type P haute densité (8) et à la couche de type N haute densité (9) étant formées. Par conséquent, il est possible de réduire la fluctuation due à une chute de tension lorsque le courant à effet tunnel circule et d'obtenir un fonctionnement stable.
(JA) トンネル電流を用いたホール供給構造を有する場合であっても、安定した動作が得られる半導体装置及びその製造方法を提供するために、基板1の表面に形成されたエミッタ2やエミッタ電極13、ゲート絶縁膜4やゲート5、ゲート電極14と、基板1の裏面に形成された、高濃度p型層8と高濃度n型層9とそれらの間で構成されるトンネル接合とを有する半導体装置において、高濃度p型層8と高濃度n型層9にそれぞれ接続される異なった電極(11、12)を形成する。これにより、トンネル電流が流れたときの電圧降下による変動等が低減され、安定動作が可能となる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)