WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Machine translation
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/046326    International Application No.:    PCT/JP2010/067644
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 07.10.2010
H01L 31/04 (2006.01), H01M 10/36 (2010.01)
Applicants: Guala Technology Co., Ltd. [JP/JP]; 5-5-2, Minatojima-minamimachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo, 6500047 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAZAWA, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAZAWA, Akira; (JP)
Agent: NAKAMURA, Mamoru; 201, Oyama Bldg., 1-2-34 Bentenbashidori, Chuo-ku, Niigata-shi, Niigata 9500925 (JP)
Priority Data:
(JA) 太陽電池
Abstract: front page image
(EN)A photovoltaic cell is provided that makes cost reduction and stable operation possible due to a simple configuration, and has good conversion efficiency due to a new technology that forms an energy level in a band gap. The photovoltaic cell is configured by layering a substrate and a conductive first electrode, an electromotive layer that captures electrons by forming an energy level in a band gap by causing a light excited structural change in an n-type metal oxide semiconductor covered with an insulating substance, a p-type semiconductor layer, and a conductive second electrode. Electromotive energy is generated by light exciting electrons in a band gap in the electromotive layer by irradiating light. The electromotive layer is filled with an n-type metal oxide semiconductor of fine particles coated by an insulating coat, a light excited structural change is caused by ultraviolet light irradiation, and a new energy level is formed in a band gap. Stable operation with good efficiency can be performed by providing a layer of the n-type metal oxide semiconductor between the first electrode and the electromotive layer.
(FR)La présente invention a trait à une cellule photovoltaïque qui permet de réduire les coûts et d'obtenir un fonctionnement stable grâce à une configuration simple, et qui est dotée d'un bon rendement de conversion grâce à une nouvelle technologie qui permet de former un niveau d'énergie dans une bande interdite. La cellule photovoltaïque est configurée en disposant en couches un substrat et une première électrode conductrice, une couche électromotrice qui capture les électrons en formant un niveau d'énergie dans une bande interdite en entraînant un changement structurel excité par la lumière dans un semi-conducteur à oxyde métallique de type N recouvert d'une substance isolante, une couche semi-conductrice de type P, et une seconde électrode conductrice. L'énergie électromotrice est générée en excitant par la lumière les électrons dans une bande interdite de la couche électromotrice grâce à l'irradiation de lumière. La couche électromotrice est remplie d'un semi-conducteur à oxyde métallique de type N à fines particules enduit au moyen d'un revêtement isolant, un changement structurel excité par la lumière est causé par l'irradiation de rayonnement ultraviolet, et un nouveau niveau d'énergie est formé dans une bande interdite. Il est possible d'obtenir un fonctionnement stable et un bon rendement énergétique en disposant une couche du semi-conducteur à oxyde métallique de type N entre la première électrode et la couche électromotrice.
(JA) 簡単な構成により低コスト化及び安定な動作が可能で、バンドギャップ中にエネルギー準位を形成する新たな技術により、変換効率の良い太陽電池を提供する。太陽電池は、基板、導電性の第1電極と、絶縁性物質で覆われたn型金属酸化物半導体を光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成して電子を捕獲する起電力層と、P型半導体層と、導電性の第2電極とを積層して構成され、光を照射することにより起電力層におけるバンドギャップ中の電子を光励起して起電力を発生させる。起電力層には、絶縁性の被膜に覆われた微粒子のn型金属酸化物半導体が充填され、紫外線照射により光励起構造変化して、バンドギャップ内に新たなエネルギー準位を形成している。第1電極と前記起電力層の間にn型金属酸化物半導体の層を設けることにより、効率の良い安定な動作が行える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)