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1. (WO2012045511) METHOD FOR PRODUCING A SILICONE FOIL, SILICONE FOIL AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A SILICONE FOIL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/045511    International Application No.:    PCT/EP2011/064174
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 17.08.2011
IPC:
B29C 43/18 (2006.01), B29C 43/20 (2006.01), B29C 43/40 (2006.01), B29C 69/00 (2006.01), H01L 33/52 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
PREUSS, Stephan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GELTL, Tobias [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHILLER, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GALLMEIER, Hans-Christoph [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: PREUSS, Stephan; (DE).
GELTL, Tobias; (DE).
SCHILLER, Thomas; (DE).
GALLMEIER, Hans-Christoph; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München (DE)
Priority Data:
10 2010 047 454.1 04.10.2010 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SILIKONFOLIE, SILIKONFOLIE UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL MIT EINER SILIKONFOLIE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SILICONE FOIL, SILICONE FOIL AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A SILICONE FOIL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM EN SILICONE, FILM EN SILICONE ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE MUNI D'UN FILM EN SILICONE
Abstract: front page image
(DE)In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens dient dieses zur Herstellung einer Silikonfolie (2) über ein Pressen zur Verwendung in einem optoelektronischen Halbleiterbauteil (10). Das Verfahren beinhaltet die folgenden Schritte: Einbringen einer Werkzeugfolie (1) in ein Presswerkzeug (5), Einbringen einer Trägerfolie (3) in das Presswerkzeug (5), wobei die Trägerfolie (3) auf einer Substratfolie (4) angebracht ist und die Substratfolie (4) die Trägerfolie (3) lateral überragt, Bereitstellen und Aufbringen einer Silikongrundmasse (20) auf die Werkzeugfolie (1) oder auf die Trägerfolie (3), Pressen der Silikongrundmasse (20) zu der Silikonfolie (2) zwischen der Werkzeugfolie (1) und der Trägerfolie (3), wobei die Silikongrundmasse in einem Überlappbereich (24) lateral neben der Trägerfolie (3) in Kontakt zu der Substratfolie (4) gebracht wird, Entfernen der Werkzeugfolie (1) von der Silikonfolie (2), und Abtrennen des Überlappbereichs (24).
(EN)In at least one embodiment of the method, the latter serves for producing a silicone foil (2) by means of molding for use in an optoelectronic semiconductor component (10). The method comprises the following steps: introducing a mold foil (1) into a mold (5), introducing a carrier foil (3) into the mold (5), wherein the carrier foil (3) is fitted on a substrate foil (4) and the substrate foil (4) projects laterally beyond the carrier foil (3), providing and applying a silicone base composition (20) to the mold foil (1) or to the carrier foil (3), molding the silicone base composition (20) to form the silicone foil (2) between the mold foil (1) and the carrier foil (3), wherein the silicone base composition is brought into contact with the substrate foil (4) in an overlap region (24) laterally alongside the carrier foil (3), removing the mold foil (1) from the silicone foil (2), and separating the overlap region (24).
(FR)Dans au moins un mode de réalisation, le procédé selon l'invention sert à fabriquer par compression un film en silicone (2) destiné à être utilisé dans un composant semi-conducteur optoélectronique (10). Ledit procédé comprend : l'introduction d'un film outil (1) dans un outil de compression (5) ; l'introduction d'un film support (3) dans l'outil de compression (5), le film support (3) étant appliqué sur un film substrat (4) et le film substrat (4) dépassant latéralement du film support (3) ; la préparation et l'application d'une matière de base en silicone (20) sur le film outil (1) ou sur le film support (3) ; la compression de la matière de base en silicone (20) en un film de silicone (2) entre le film outil (1) et le film support (3), la matière de base en silicone étant mise en contact latéralement dans une zone de chevauchement (24) avec le film substrat (4) en plus du film support (3) ; l'enlèvement du film outil (1) sur le film en silicone (2) et la séparation de la zone de chevauchement (24).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)