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1. (WO2012045258) PREPARATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR NANO RING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/045258    International Application No.:    PCT/CN2011/079525
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 09.09.2011
IPC:
H01L 21/47 (2006.01)
Applicants: PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No.5 Yiheyuan Road Haidian District Beijing 100871 (CN) (For All Designated States Except US).
HUANG, Ru [CN/CN]; (CN) (For US Only).
AI, Yujie [CN/CN]; (CN) (For US Only).
HAO, Zhihua [CN/CN]; (CN) (For US Only).
PU, Shuangshuang [CN/CN]; (CN) (For US Only).
FAN, Jiewen [CN/CN]; (CN) (For US Only).
SUN, Shuai [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WANG, Runsheng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
AN, Xia [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: HUANG, Ru; (CN).
AI, Yujie; (CN).
HAO, Zhihua; (CN).
PU, Shuangshuang; (CN).
FAN, Jiewen; (CN).
SUN, Shuai; (CN).
WANG, Runsheng; (CN).
AN, Xia; (CN)
Agent: CHINABLE IP; 620 Room, 35-10-2, the 6th floor, No.35 Anding Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Priority Data:
201010506128.7 09.10.2010 CN
Title (EN) PREPARATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR NANO RING
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'ANNEAU CIRCULAIRE NANO DE SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 一种半导体纳米圆环的制备方法
Abstract: front page image
(EN)The invention discloses a preparation method for a semiconductor nano ring. In the method, first a positive photoresist is coated on a semiconductor substrate, then, based on the principle of Poisson diffraction, the photoresist is exposed by means of a circular mask having a micron-grade diameter to obtain ring shaped photoresist and then plasma etching is carried out on the substrate under the protection of the ring-shaped photoresist to form a ring-shaped structure with nano-sized wall thickness on the surface of the substrate. The nano-sized ring shaped structure is prepared by using micron-sized photoetching equipment and the micron-sized circular mask, so dependence on advanced photoetching technology is overcome, thus effectively lowering the preparation cost of the nano-sized ring shaped structure.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation d'anneau circulaire nano de semi-conducteur. Le procédé se caractérise par un premier revêtement de photorésine positive sur un substrat de semi-conducteur puis, sur la base du principe de diffraction de Poisson, l'exposition de la photorésine par un masque circulaire avec un diamètre micronique pour obtenir une photorésine en forme d'anneau circulaire, puis la réalisation d'une gravure au plasma sur le substrat sous la protection de la photorésine en forme d'anneau circulaire afin de former une structure en forme d'anneau circulaire avec une épaisseur de paroi de taille nano sur la surface du substrat. La structure en forme d'anneau circulaire de taille nano est préparée en adoptant un équipement de photogravure de taille micronique et le masque circulaire de taille micronique, la dépendance à la technologie avancée de photogravure est donc surmontée, abaissant ainsi efficacement le coût de préparation de la structure en forme d'anneau circulaire de taille nano.
(ZH)本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法,该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶,然后基于泊松衍射的原理,通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光,得到圆环形的光刻胶,再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀,在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。本发明采用微米尺寸的光刻设备和微米尺寸的圆形掩膜制备出纳米尺寸的圆环形结构,克服了对先进光刻技术的依赖,从而有效降低了圆环形纳米结构的制备成本。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)