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1. (WO2012045222) LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/045222    International Application No.:    PCT/CN2010/079605
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 09.12.2010
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: ENRAYTEK OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; Room 101, Building 5 No.200, Niudun Road Pudong New District, Shanghai 201203 (CN) (For All Designated States Except US).
CHANG, Richard, Rugin [US/CN]; (CN) (For US Only).
XIAO, Deyuan [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: CHANG, Richard, Rugin; (CN).
XIAO, Deyuan; (CN)
Agent: UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No. 22, Jian Guo Men Wai Ave. Chao Yang District, Beijing 100004 (CN)
Priority Data:
201010503845.4 08.10.2010 CN
Title (EN) LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 发光装置及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided. The light emitting device includes a base (101) and a light emitting diode (LED) flip-chip mounted on the base, and the LED comprises an LED die connected to the base and a buffer layer (110) located on the LED die, wherein multiple recesses having pyramid complementary structure are located on another side surface of the buffer layer opposite to the LED die, the buffer layer is the light emitting face of the LED; the material of the buffer layer is silicon carbide. The light emitting device has a larger area of light emitting surface and a reflecting layer is disposed on the substrate, so that the light emitting efficiency is improved. Meanwhile the manufacturing method is simple by using flip-chip way for performing assembly.
(FR)L'invention porte sur un dispositif émettant de la lumière et sur son procédé de fabrication. Le dispositif émettant de la lumière comprend une base (101) et une puce à bosses de diode électroluminescente (DEL) montée sur la base, et la DEL comprend une puce de DEL connectée à la base et une couche tampon (110) disposée sur la puce de DEL, de multiples creux ayant une structure complémentaire en pyramide étant situés sur une autre surface latérale de la couche tampon opposée à la puce de DEL, la couche tampon étant la face émettant de la lumière de la DEL ; le matériau de la couche tampon est le carbure de silicium. Le dispositif émettant de la lumière a une plus grande surface émettant de la lumière et une couche réfléchissante est disposée sur le substrat, de telle sorte que le rendement d'émission de la lumière est amélioré. Cependant, le procédé de fabrication est simple, par le fait d'utiliser une puce à bosses pour effectuer l'assemblage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)