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1. (WO2012045216) WASHING METHOD FOR SURFACE DAMAGED LAYER OF REACTIVE ION ETCHING TEXTURING OF CRYSTALLINE SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/045216    International Application No.:    PCT/CN2010/078390
Publication Date: 12.04.2012 International Filing Date: 03.11.2010
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), C30B 33/10 (2006.01)
Applicants: CHANGZHOU TRINA SOLAR ENERGY CO., LTD. [CN/CN]; NO.2 Trina Road Trina PV park, Xinbei District Changzhou, Jiangsu 213031 (CN) (For All Designated States Except US).
SHENG, Jian [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: SHENG, Jian; (CN)
Agent: CHINA CHANGZHOU VEI PATENT OFFICE; 6th Floor, Building C Administration Center, Yanzheng Rd.(M), Wujin District Changzhou, Jiangsu 213159 (CN)
Priority Data:
201010298887.9 08.10.2010 CN
Title (EN) WASHING METHOD FOR SURFACE DAMAGED LAYER OF REACTIVE ION ETCHING TEXTURING OF CRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE LAVAGE DE COUCHE ENDOMMAGÉE EXTERNE DE TEXTURATION DE GRAVURE PAR IONS RÉACTIFS DE SILICIUM CRISTALLISÉ
(ZH) 一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺
Abstract: front page image
(EN)A washing method for surface damaged layer of reactive ion etching(RIE) texturing of crystalline silicon is disclosed, which comprises firstly pre-washing the surface damaged layer of silicon wafer with deionized water; then performing the first washing of the damaged layer with a mixture solution of HF, HNO3 and water or acetic acid mixed according to the volume ratio of HF: HNO3: water or acetic acid equal to1:50:100; thereafter washing again with deionized water; then performing the second washing and etching at 60-75℃ for 5-15 minutes with a mixture solution of HN4OH, H2O2 and H2O mixed according to the volume ratio of HN4OH:H2O2:H2O equal to 1:1:5; thereafter dip washing with a 0.5% HF solution; finally washing with deionized water. The method is adapted for the damage removal process of the fine surface structure of RIE texturing of crystalline silicon, and it can better ensure that the etching process has no effect on the fine textured structure of the silicon wafer surface.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de lavage de couche endommagée externe de texturation de gravure par ions réactifs de silicium cristallisé, lequel procédé comprend les étapes consistant à, dans un premier temps, laver au préalable la couche endommagée externe d'une plaque de silicium avec de l'eau déionisée ; puis à effectuer le premier lavage de la couche endommagée avec une solution constituée d'un mélange de HF, de HNO3 et d'eau ou d'acide acétique mélangée conformément à un rapport volumique de HF:HNO3:eau ou acide acétique égal à 1:50:100 ; à laver par la suite de nouveau avec de l'eau déionisée ; puis à effectuer le second lavage et la gravure à 60-75 °C pendant 5 à 15 minutes avec une solution de mélange de HN4OH, H2O2 et H2O mélangée conformément à un rapport volumique de HN4OH:H2O2:H2O égal à 1:1:5 ; à laver ensuite par trempage avec une solution de HF à 0,5 % ; enfin à laver avec de l'eau déionisée. Le procédé est approprié pour le processus de retrait de dommages de la mince structure de surface de la texturation de gravure par ions réactifs du silicium cristallisé, et il permet de mieux garantir que le processus de gravure n'a aucun effet sur la mince structure texturée de la surface de la plaque de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)