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1. (WO2012044977) COMPACT RF ANTENNA FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ION SOURCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/044977    International Application No.:    PCT/US2011/054299
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 30.09.2011
IPC:
H01J 37/08 (2006.01), H01J 27/16 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Applicants: FEI COMPANY [US/US]; 5350 NE Dawson Creek Dr. Hillsboro, OR 97124 (US) (For All Designated States Except US).
ZHANG, Shouyin [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ZHANG, Shouyin; (US)
Agent: SCHEINBERG, Michael, O.; PO Box 164140 Austin, TX 78716 (US)
Priority Data:
12/894,779 30.09.2010 US
Title (EN) COMPACT RF ANTENNA FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ION SOURCE
(FR) ANTENNE RF COMPACTE POUR SOURCE D'ION DE PLASMA COUPLÉE DE MANIÈRE INDUCTIVE
Abstract: front page image
(EN)An inductively coupled plasma ion source for a focused ion beam (FIB) system is disclosed, comprising an insulating plasma chamber with a feed gas delivery system, a compact radio frequency (RF) antenna coil positioned concentric to the plasma chamber and in proximity to, or in contact with, the outer diameter of the plasma chamber. In some embodiments, the plasma chamber is surrounded by a Faraday shield to prevent capacitive coupling between the RF voltage on the antenna and the plasma within the plasma chamber. High dielectric strength insulating tubing is heat shrunk onto the outer diameter of the conductive tubing or wire used to form the antenna to allow close packing of turns within the antenna coil. The insulating tubing is capable of standing off the RF voltage differences between different portions of the antenna, and between the antenna and the Faraday shield.
(FR)La présente invention concerne une source d'ion de plasma couplée de manière inductive pour un système de faisceau d'ions focalisés, comprenant une chambre à plasma isolante dotée d'un système de distribution de gaz d'alimentation, une bobine d'antenne à radiofréquence (RF) compacte positionnée de manière concentrique à la chambre à plasma et à proximité du diamètre extérieur de la chambre à plasma ou en contact avec celui-ci. Dans certains modes de réalisation, la chambre à plasma est entourée par un blindage de Faraday pour empêcher un couplage capacitif entre la tension RF sur l'antenne et le plasma dans la chambre à plasma. Une gaine isolante à forte rigidité diélectrique est thermorétractée sur le diamètre extérieur de la gaine conductrice ou du fil utilisé pour former l'antenne pour permettre l'empilement des spires dans la bobine d'antenne. La gaine isolante est capable d'affronter les différences de tension RF entre différentes parties de l'antenne, et entre l'antenne et le blindage de Faraday.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)