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1. (WO2012044623) METHOD FOR FORMING A PATTERN AND A SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/044623    International Application No.:    PCT/US2011/053509
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 27.09.2011
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5- Chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP) (For All Designated States Except US).
CLARK, Robert, D. [US/US]; (US) (For US Only).
STRANG, Eric, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CLARK, Robert, D.; (US).
STRANG, Eric, J.; (US)
Agent: LUDVIKSSON, Audunn; 2545 W. Frye Road, Suite 1 Chandler, AZ 85224 (US)
Priority Data:
12/895,507 30.09.2010 US
Title (EN) METHOD FOR FORMING A PATTERN AND A SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A method for forming a fine pattern on a substrate includes providing a substrate including a material with an initial pattern formed thereon and having a first line width, performing a self-limiting oxidation and/or nitridation process on a surface of the material and thereby forming an oxide, a nitride, or an oxynitride film on a surface of the initial pattern, and removing the oxide, nitride, or oxynitride film. The method further includes repeating the formation and removal of the oxide, nitride, or oxynitride film to form a second pattern having a second line width that is smaller than the first line width of the initial pattern. The patterned material can contain silicon, a silicon-containing material, a metal, or a metal-nitride, and the self-limiting oxidation process can include exposure to vapor phase ozone, atomic oxygen generated by non-ionizing electromagnetic (EM) radiation, atomic nitrogen generated by ionizing or non-ionizing EM radiation, or a combination thereof.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un motif fin sur un substrat, consistant à fournir un substrat comprenant un matériau sur lequel est formé un motif initial et présentant une première largeur de ligne, à effectuer une oxydation auto-limitatrice et/ou un processus de nitruration sur une surface du matériau, ce qui permet de former un film d'oxyde, de nitrure ou d'oxynitrure film sur une surface du motif initial, et à retirer le film d'oxyde, de nitrure, ou d'oxynitrure. Le procédé consiste en outre à répéter la formation et le retrait du film d'oxyde, de nitrure, ou d'oxynitrure pour former un second motif présentant une seconde largeur de ligne inférieure à la première largeur de ligne du motif initial. Le matériau à motif peut contenir du silicium, un matériau contenant du silicium, un métal, ou un nitrure de métal, et le processus d'oxydation auto-limitatrice peut comprendre une exposition à une zone en phase vapeur, à de l'oxygène atomique produit par un rayonnement électromagnétique non ionisant, à de l'azote atomique produit par un rayonnement électromagnétique ionisant ou non, ou leur combinaison.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)