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1. (WO2012044361) METHOD FOR MINIMIZING DEFECTS IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE DUE TO ION IMPLANTATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/044361    International Application No.:    PCT/US2011/026589
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 01.03.2011
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: SUVOLTA, INC. [US/US]; 130 Knowles Drive, Suite D Los Gatos, CA 95032-1832 (US) (For All Designated States Except US).
RANADE, Pushkar [IN/US]; (US) (For US Only).
MORI, Toshifumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OKABE, Ken-ichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIYAKE, Toshiki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: RANADE, Pushkar; (US).
MORI, Toshifumi; (JP).
OKABE, Ken-ichi; (JP).
MIYAKE, Toshiki; (JP)
Agent: FISH, Charles, S.; Baker Botts, LLP 2001 Ross Avenue, Suite 600 Dallas, TX 75201 (US)
Priority Data:
12/895,730 30.09.2010 US
Title (EN) METHOD FOR MINIMIZING DEFECTS IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE DUE TO ION IMPLANTATION
(FR) PROCÉDÉ POUR MINIMISER LES DÉFAUTS DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR CAUSÉS PAR L'IMPLANTATION D'IONS
Abstract: front page image
(EN)The effects of knock-on oxide in a semiconductor substrate are reduced by providing a semiconductor substrate and forming a thin layer of native oxide on the semiconductor substrate. Ion implantation is performed through the native oxide layer. The native oxide layer reduces the phenomenon of knock-on oxide and oxygen concentration within the semiconductor substrate. Further reduction may be achieved by etching the surface of the semiconductor substrate in order to eliminate a concentration of oxygen at a surface of the semiconductor substrate.
(FR)Les effets de l'oxyde de répercussion dans un substrat semi-conducteur sont réduits en produisant un substrat semi-conducteur et en formant une couche mince d'oxyde natif sur le substrat semi-conducteur. L'implantation d'ions est effectuée par la couche d'oxyde natif. La couche d'oxyde natif réduit le phénomène d'oxyde de répercussion et la concentration d'oxygène dans le substrat semi-conducteur. Une réduction supplémentaire peut être réalisée en gravant la surface du substrat semi-conducteur afin d'éliminer une concentration d'oxygène sur une surface du substrat semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)