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1. (WO2012044360) METHOD FOR REDUCING PUNCH-THROUGH IN A TRANSISTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/044360    International Application No.:    PCT/US2011/026587
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 01.03.2011
IPC:
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01)
Applicants: SUVOLTA,INC. [US/US]; 130 Knowles Drive, Suite D Los Gatos, CA 95032-1832 (US) (For All Designated States Except US).
SHIFREN, Lucian [ZA/US]; (US) (For US Only).
EMA, Taiji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIFREN, Lucian; (US).
EMA, Taiji; (JP)
Agent: FISH, Charles, S.; Baker Botts, LLP 2001 Ross Avenue, Suite 600 Dallas, TX 75201 (US)
Priority Data:
12/895,695 30.09.2010 US
Title (EN) METHOD FOR REDUCING PUNCH-THROUGH IN A TRANSISTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DU PERÇAGE DANS UN DISPOSITIF À TRANSISTOR
Abstract: front page image
(EN)Punch- through in a transistor device is reduced by forming a well layer in an implant region, forming a stop layer in the well layer of lesser depth than the well layer, and forming a doped layer in the stop layer of lesser depth than the stop layer. The stop layer has a lower concentration of impurities than the doped layer in order to prevent punch- through without increasing junction leakage.
(FR)Le perçage dans un dispositif à transistor est réduit par formation d'une couche de puits dans une région d'implantation, par formation d'une couche d'arrêt dans la couche de puits, d'une profondeur inférieure à celle de la couche de puits, et par formation d'une couche dopée dans la couche d'arrêt, d'une profondeur inférieure à celle de la couche d'arrêt. La couche d'arrêt a une moindre concentration d'impuretés que la couche dopée, afin d'éviter un perçage, sans augmenter la fuite de la jonction.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)