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1. (WO2012043806) WIRING STRUCTURE AND DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/043806    International Application No.:    PCT/JP2011/072590
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 30.09.2011
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP) (For All Designated States Except US).
MAEDA Takeaki; (For US Only).
KUGIMIYA Toshihiro; (For US Only)
Inventors: MAEDA Takeaki; .
KUGIMIYA Toshihiro;
Agent: OGURI Shohei; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2010-222002 30.09.2010 JP
2011-215071 29.09.2011 JP
Title (EN) WIRING STRUCTURE AND DISPLAY DEVICE
(FR) STRUCTURE DE CÂBLAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 配線構造および表示装置
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a wiring structure enabling the formation of a stable interface between an oxide semiconductor layer and, for example, a metal film configuring a source electrode or a drain electrode in display devices such as organic EL displays and LCDs. The present invention relates to a wiring structure having a thin-film transistor semiconductor layer and a metal wiring film that are positioned on a substrate in order from the substrate side, and having a barrier layer interposed therebetween the semiconductor layer and the metal wiring film, wherein: the semiconductor layer comprises an oxide semiconductor; the barrier layer is configured from a Ti oxide film containing TiOx (x being 1.0-2.0, inclusive); the Ti oxide film is directly connected to the semiconductor layer; and the oxide semiconductor is configured from an oxide containing at least one element selected from a group consisting of In, Ga, Zn, and Sn.
(FR)L'invention concerne une structure de câblage qui permet la formation d'une interface stable entre une couche à semi-conducteur d'oxyde et, par exemple, un film métallique configurant une électrode source ou une électrode de drain dans des dispositifs d'affichage tels que des afficheurs électroluminescents organiques et des afficheurs à cristaux liquides (LCD). L'invention concerne une structure de câblage présentant une couche à semi-conducteur de transistor à film mince et un film de câblage métallique positionnés sur un substrat dans l'ordre du côté du substrat, et ayant une couche barrière placée entre la couche à semi-conducteur et le film de câblage métallique, la couche à semi-conducteur comprenant un semi-conducteur d'oxyde ; la couche barrière étant configuré à partir d'un film d'oxyde de Ti contenant TiOx (x étant compris entre 1,0 - 2,0 inclus) ; le film d'oxyde de Ti est directement connecté à la couche à semi-conducteur ; et le semi-conducteur d'oxyde est configuré à partir d'un oxyde contenant au moins un élément choisi dans un groupe constitué de of In, Ga, Zn, et Sn.
(JA) 本発明は、有機ELディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、酸化物半導体層と、例えばソース電極やドレイン電極を構成する金属膜との安定した界面の形成が可能である配線構造を提供する。本発明は、基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、半導体層と金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、前記半導体層は酸化物半導体からなり、前記バリア層はTiOx(xは1.0以上2.0以下)を含むTi酸化膜から構成されており、且つ、前記Ti酸化膜は前記半導体層と直接接続しており、前記酸化物半導体は、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む酸化物から構成される配線構造に関する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)