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Pub. No.:    WO/2012/043788    International Application No.:    PCT/JP2011/072528
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 30.09.2011
G01T 1/24 (2006.01), G01T 1/36 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01)
Applicants: HITACHI CONSUMER ELECTRONICS CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKAHASHI Isao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUNAGA Yoshinori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
INOUE Shinichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKAHASHI Isao; (JP).
SUNAGA Yoshinori; (JP).
INOUE Shinichi; (JP)
Agent: POLAIRE I.P.C.; 7-1, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
Priority Data:
2010-220514 30.09.2010 JP
(JA) 放射線検出装置
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a radiation detector comprising: a CdTe element (20) (semiconductor element) which has a positive electrode (20a) and a negative electrode (20b) and outputs a radiation detection signal with respect to incident radiation (4); a correction parameter generator (311); and a correction processor (312), wherein the radiation detector is characterized in that the correction parameter generator (311) generates a correction parameter used to correct the wave height of the radiation detection signal which is lowered due to the recombination of carriers generated in the CdTe element (20) by the incident radiation (4), and the correction processor (312) performs a correction on the basis of the correction parameter generated by the correction parameter generator (311). The present invention makes it possible to improve the detection accuracy of the radiation detector because the wave height of the radiation detection signal can be corrected.
(FR)L'invention concerne un détecteur de rayonnement comprenant : un élément CdTe (20) (élément semi-conducteur) pourvu d'une électrode positive (20a) et d'une électrode négative (20b) et émettant un signal de détection de rayonnement par rapport à un rayonnement incident (4) ; un générateur de paramètres de correction (311) ; et un processeur de correction (312). Ce détecteur de rayonnement se caractérise en ce que le générateur de paramètres de correction (311) génère un paramètre de correction servant à corriger la hauteur d'onde du signal de détection de rayonnement qui est abaissée du fait de la recombinaison de porteuses générées dans l'élément CdTe (20) par le rayonnement incident (4), et que le processeur de correction (312) effectue une correction en fonction du paramètre de correction généré par le générateur (311). L'invention permet d'améliorer la précision de détection du détecteur de rayonnement étant donné que la hauteur d'onde du signal de détection de rayonnement peut être corrigée.
(JA) 本発明は、陽電極20a及び陰電極20bを有し放射線4の入射に対して放射線検出信号を出力するCdTe素子20(半導体素子)と、補正パラメータ生成部311と、補正処理部312とを備えた放射線検出装置において、補正パラメータ生成部311は、放射線4の入射によりCdTe素子20に生じたキャリアが再結合することによって低下した放射線検出信号の波高を補正する補正処理に用いる補正パラメータを生成し、補正処理部312は、補正パラメータ生成部311で生成された補正パラメータに基づいて補正処理を行うことを特徴とする。本発明によれば、放射線検出信号の波高を補正することができるため、放射線検出装置の検出精度を向上することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)