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1. (WO2012043752) METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE CERAMIC AND METHOD FOR PRODUCING HONEYCOMB STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/043752    International Application No.:    PCT/JP2011/072438
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 29.09.2011
IPC:
C04B 35/565 (2006.01), B01D 53/86 (2006.01), B01J 27/224 (2006.01), B01J 35/04 (2006.01), C04B 35/626 (2006.01), C04B 38/00 (2006.01), C04B 38/06 (2006.01)
Applicants: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP) (For All Designated States Except US).
KANEDA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
INOUE, Takayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WATANABE, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KANEDA, Atsushi; (JP).
INOUE, Takayuki; (JP).
WATANABE, Tsuyoshi; (JP)
Agent: WATANABE, Kazuhira; 3rd Fl., No.8 Kikuboshi Tower Building, 20-18, Asakusabashi 3-chome, Taito-ku, Tokyo 1110053 (JP)
Priority Data:
2010-219510 29.09.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE CERAMIC AND METHOD FOR PRODUCING HONEYCOMB STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE CÉRAMIQUE EN CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION D'UNE STRUCTURE EN NID D'ABEILLE
(JA) 炭化珪素質セラミックスの製造方法及びハニカム構造体の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A method for producing a silicon carbide ceramic comprises: a step for preparing a raw material for molding, in which multiple types of silicon carbide ceramic powders containing different percentages of 4H silicon carbide crystals are mixed together to prepare a raw material for molding; a molding step in which the raw material for molding is molded to form a molded product; and a firing step in which the molded product is fired to produce a silicon carbide ceramic in which the content percentage of the 4H silicon carbide crystals is adjusted to a desired value. The method for producing a silicon carbide ceramic, whereby a silicon carbide ceramic having small variations in resistivity due to temperature changes and capable of generating heat when electrified can be produced by a simple method, is provided.
(FR)L'invention concerne un procédé pour la production d'une céramique en carbure de silicium comprenant : une étape de préparation d'un matériau brut pour le moulage, dans laquelle de multiples types de poudres de céramique en carbure de silicium contenant différents pourcentages de cristaux de carbure de silicium 4H sont mélangés ensemble pour préparer un matériau brut pour le moulage ; une étape de moulage dans laquelle le matériau brut pour le moulage est moulé pour former un produit moulé ; et une étape de cuisson dans laquelle le produit moulé est cuit pour produire une céramique en carbure de silicium dans laquelle le pourcentage de la teneur en cristaux de carbure de silicium 4H est ajusté à une valeur souhaitée. Le procédé pour la production d'une céramique en carbure de silicium, par lequel une céramique en carbure de silicium, présentant de faibles variations de résistivité suite à des changements de température et capable de générer de la chaleur quand elle est électrifiée, peut être produite par un procédé simple, est décrit.
(JA) 4H型炭化珪素結晶をそれぞれ異なる含有率で含有する複数種類の炭化珪素質セラミックス粉末を、混合して成形原料を調製する成形原料調製工程と、成形原料を成形して成形体を形成する成形工程と、成形体を焼成して4H型炭化珪素結晶の含有率が所望の値に調整された炭化珪素質セラミックスを作製する焼成工程とを有する炭化珪素質セラミックスの製造方法。温度変化による比抵抗の変化量が小さく、通電により発熱させることが可能な炭化珪素質セラミックスを簡易な方法で製造することができる炭化珪素質セラミックスの製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)