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1. (WO2012043659) CERAMIC SUBSTRATE FOR LIGHT EMITTING ELEMENT MOUNTING AND LIGHT EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/043659    International Application No.:    PCT/JP2011/072247
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 28.09.2011
IPC:
C04B 35/111 (2006.01), G02B 5/08 (2006.01), H01L 33/48 (2010.01)
Applicants: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIKATA,Kunihide [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUSANO,Kazuhide [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIKATA,Kunihide; (JP).
KUSANO,Kazuhide; (JP)
Priority Data:
2010-219062 29.09.2010 JP
Title (EN) CERAMIC SUBSTRATE FOR LIGHT EMITTING ELEMENT MOUNTING AND LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) SUBSTRAT CÉRAMIQUE POUR LE MONTAGE D'UN ÉLÉMENT ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE ET DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE
(JA) 発光素子搭載用セラミックス基体および発光装置
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a ceramic substrate for mounting a light emitting element that provides high reflectivity, improves heat dissipation and has high thermal conductivity for extending the life of the light emitting element. [Solution] The ceramic substrate for mounting a light emitting device is a sintered ceramic material for mounting a light emitting device formed from a sintered ceramic material and having a mounting part wherein the light emitting element is mounted. The proportion of crystals with a crystal grain size of 0.2 - 1.0 µm by equivalent circle diameter is 45 - 80% in the surface layer part on this mounting part side. The proportion of crystals with a crystal grain size of 2.0 - 6.0 µm by equivalent circle diameter is 5 -15%. The proportion of crystals exceeding 6.0 µm by equivalent circle diameter is 2.7% or less. Therefore, the reflectivity of a ceramic substrate (1) for mounting a light emitting element can be improved, and a ceramic substrate for a light emitting element with high thermal conductivity can be produced.
(FR)L'invention a pour but de proposer un substrat céramique pour le montage d'un élément émettant de la lumière qui fournit une réflectivité élevée, améliore la dissipation de chaleur et a une conductivité thermique élevée pour prolonger la durée de vie de l'élément émettant de la lumière. A cet effet, l'invention propose un substrat céramique pour le montage d'un dispositif émettant de la lumière qui est une matière céramique frittée pour le montage d'un dispositif émettant de la lumière formé à partir d'une matière céramique frittée et ayant une partie de montage dans laquelle l'élément émettant de la lumière est monté. La proportion de cristaux ayant une dimension de grain cristallin de 0,2-1,0 µm par diamètre de cercle équivalent est de 45-80 % dans la partie de couche de surface sur ce côté partie de montage. La proportion de cristaux ayant une dimension de grain cristallin de 2,0-6,0 µm par diamètre de cercle équivalent est de 5-15 %. La proportion de cristaux excédant 6,0 µm par diamètre de cercle équivalent est de 2,7 % ou moins. Par conséquent, la réflectivité d'un substrat céramique (1) pour le montage d'un élément émettant de la lumière peut être améliorée et un substrat céramique, pour un élément émettant de la lumière ayant une conductivité thermique élevée, peut être produit.
(JA) 【課題】 高反射率が得られるとともに、放熱性を良くし発光素子の寿命を延ばすために熱伝導率の高い発光素子搭載用のセラミックス基体を提供する。 【解決手段】 セラミック焼結体からなり、発光素子が搭載される搭載部を有する発光素子搭載用セラミック焼結体であって、この搭載部側の表層部における結晶粒径が円相当径で0.2μm以上1.0μm以下の結晶の割合が45%以上80%以下であり、円相当径で2.0μm以上6.0μm以下の結晶の割合が5%以上15%以下であるとともに、円相当径で6.0μmを超える結晶の割合が2.7%以下であることから、発光素子搭載用セラミックス基体1の反射率を向上させることができるとともに、熱伝導率の高い発光素子搭載用セラミックス基体とすることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)