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1. (WO2012043637) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/043637    International Application No.:    PCT/JP2011/072200
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 28.09.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (For All Designated States Except US).
NARITA Tomoki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KANEKO Kazushige [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NARITA Tomoki; (JP).
KANEKO Kazushige; (JP)
Agent: YKI Patent Attorneys; 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
Priority Data:
2010-222129 30.09.2010 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Abstract: front page image
(EN)A photoelectric conversion device comprises a substrate (20), a surface electrode layer (22) which is formed on the substrate (20), an a-Si unit (202) and a μc-Si unit (204) both of which are formed on the surface electrode layer (22), a back surface electrode layer (26) which is formed on the a-Si unit (202) and the μc-Si unit (204), a filler (28) which covers at least a part of the back surface electrode layer (26), and a back surface protecting material (30) which covers the back surface electrode layer (26) through the filler (28), wherein the back surface electrode layer (26) comprises a first zinc oxide layer (26a), a metal layer (26b) and a second zinc oxide layer (26c) which are laminated in this order when viewed from the side of the a-Si unit (202) and the μc-Si unit (204).
(FR)Le dispositif de conversion photoélectrique selon l'invention comprend un substrat (20), une couche d'électrode de surface (22) qui est formée sur le substrat (20), une unité de a-Si (202) et une unité de μc-Si (204) étant chacune formées sur la couche d'électrode de surface (22), une couche d'électrode de surface arrière (26) qui est formée sur l'unité de a-Si (202) et l'unité de μc-Si (204), une charge (28) qui couvre au moins une partie de la couche d'électrode de surface arrière (26) et un matériau protecteur de surface arrière (30) qui couvre la couche d'électrode de surface arrière (26) à travers la charge (28), la couche d'électrode de surface arrière (26) comprenant une première couche d'oxyde de zinc (26a), une couche de métal (26b) et une seconde couche d'oxyde de zinc (26c) qui sont stratifiées dans cet ordre, vu du côté de l'unité de a-Si (202) et de l'unité de μc-Si (204).
(JA) 基板20と、基板20上に形成された表面電極層22と、表面電極層22上に形成されたa-Siユニット202,μc-Siユニット204と、a-Siユニット202,μc-Siユニット204上に形成された裏面電極層26と、裏面電極層26の少なくとも一部を覆う充填材28と、充填材28を介して裏面電極層26を覆う裏面保護材30と、を含み、裏面電極層26は、a-Siユニット202,μc-Siユニット204側から順に第1酸化亜鉛層26a、金属層26b及び第2酸化亜鉛層26cと積層されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)