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1. (WO2012043570) SINTERED OXIDE MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SPUTTERING TARGET, OXIDE TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/043570    International Application No.:    PCT/JP2011/072091
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 27.09.2011
IPC:
C04B 35/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01B 1/08 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
Applicants: TOSOH CORPORATION [JP/JP]; 4560, Kaisei-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7468501 (JP) (For All Designated States Except US).
KURAMOCHI Hideto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUMARU Keitaro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKIIKE Ryo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UTSUMI Kentaro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIBUTAMI Tetsuo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KURAMOCHI Hideto; (JP).
MATSUMARU Keitaro; (JP).
AKIIKE Ryo; (JP).
UTSUMI Kentaro; (JP).
SHIBUTAMI Tetsuo; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2010-218535 29.09.2010 JP
2010-273490 08.12.2010 JP
Title (EN) SINTERED OXIDE MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SPUTTERING TARGET, OXIDE TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SOLAR CELL
(FR) CORPS FRITTÉ EN OXYDE AINSI QUE SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT EN OXYDE AINSI QUE SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET BATTERIE SOLAIRE
(JA) 酸化物焼結体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、酸化物透明導電膜及びその製造方法、並びに太陽電池
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides an oxide sintered material (2) constituted from a crystal phase of a bixbyite-type oxide phase and a perovskite-type oxide phase or a bixbyite-type oxide crystal phase. The crystal phase has indium, tin, and strontium for constituent elements, and the atomic ratio of the indium, tin, and strontium content satisfies formulas (1) and (2). Also provided is a sputtering target. Also provided are an oxide transparent electrically conductive film formed using the sputtering target and a solar cell. Sn/(In + Sn + Sr) = 0.01 - 0.11 (1) Sr/(In + Sn + Sr) = 0.0005 - 0.004 (2) [In formulas (1) and (2), In, Sn, and Sr indicate content (atomic percent) for indium, tin, and strontium, respectively.]
(FR)L'invention concerne un corps fritté en oxyde (2) et une cible de pulvérisation cathodique. Le corps fritté en oxyde (2) est configuré à partir d'une phase cristalline d'une phase d'oxyde de type bixbyite et d'une phase d'oxyde de type pérovskite, ou d'une phase cristalline d'une phase d'oxyde de type bixbyite. Les phases cristallines possèdent, en tant qu'éléments constitutifs, un indium, un étain, un strontium, et un oxygène; et les teneurs en indium, étain et strontium, satisfont les formules (1) et (2) en termes de rapport atomique. En outre, l'invention concerne un film électroconducteur transparent en oxyde formé à l'aide de la cible de pulvérisation cathodique, et une batterie solaire. Sn/(In+Sn+Sr)=0,01 à 0,11 (1); Sr/(In+Sn+Sr)=0,0005 à 0,004 (2) (Dans les formules (1) et (2), In, Sn et Sr représentent respectivement la teneur en indium, étain et strontium, en pourcentage atomique).
(JA) 本発明は、ビックスバイト型酸化物相及びペロブスカイト型酸化物相の結晶相、又はビックスバイト型酸化物相の結晶相から構成され、結晶相は、構成元素としてインジウム、錫、ストロンチウム及び酸素を有しており、インジウム、錫及びストロンチウムの含有量が、原子比で下記式(1)及び(2)を満たす酸化物焼結体2及びスパッタリングターゲットを提供する。また、スパッタリングターゲットを用いて形成される酸化物透明導電膜及び太陽電池を提供する。 Sn/(In+Sn+Sr)=0.01~0.11 (1) Sr/(In+Sn+Sr)=0.0005~0.004 (2) [上記式(1)及び(2)中、In,Sn,Srは、それぞれインジウム、錫及びストロンチウムの含有量(原子%)を示す。]
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)