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Pub. No.:    WO/2012/043430    International Application No.:    PCT/JP2011/071792
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 26.09.2011
H04B 1/40 (2006.01), H03H 7/38 (2006.01), H03H 7/42 (2006.01), H03H 7/46 (2006.01), H03H 9/64 (2006.01), H03H 9/72 (2006.01)
Applicants: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
UEJIMA Takanori [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: UEJIMA Takanori; (JP)
Agent: Kaede Patent Attorneys' Office; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Priority Data:
2010-218065 29.09.2010 JP
(JA) 高周波モジュール
Abstract: front page image
(EN)A high-frequency module is realized that is compact, and in which high-powered transmission signals do not leak into a switching element. The switching element (SWIC) and a duplexer (DUP) are mounted, with a gap of a predetermined distance left therebetween, on the top of a stack. An inductor (Lm) and resistors (R1,R2,R3) which are connected to a circuit that differs from the transmission system circuit, are mounted between the switching element (SWIC) and the duplexer (DUP). When doing so, the inductor (Lm) and the resistors (R1,R2,R3) are mounted such that an external connection terminal (SA) that connects to the switching element (SWIC) forms the switching element (SWIC) side, and that an external connection terminal (SB) that connects to power supply system port electrodes (PMVc1,PMVc2,PMVc3) for use in externally connecting the high-frequency module (10) forms the duplexer (DUP) side.
(FR)L'invention porte sur un module haute fréquence qui est compact, et dans lequel des signaux d'émission de forte puissance ne fuient pas dans un élément de commutation. L'élément de commutation (SWIC) et un duplexeur (DUP) sont montés, en laissant entre eux un espace d'une distance prédéterminée, sur le haut d'un empilement. Une inductance (Lm) et des résistances (R1, R2, R3), qui sont connectées à un circuit qui diffère du circuit de système d'émission, sont montées entre l'élément de commutation (SWIC) et le duplexeur (DUP). Pour cela, l'inductance (Lm) et les résistances (R1, R2, R3) sont montées de manière qu'une borne de connexion externe (SA) qui établit une connexion à l'élément de commutation (SWIC) forme le côté élément de commutation (SWIC), et de manière qu'une borne de connexion externe (SB) qui établit une connexion à des électrodes de port de système d'alimentation électrique (PMVc1, PMVc2, PMVc3) destinées à être utilisées pour la connexion externe du module haute fréquence (10) forme le côté duplexeur (DUP).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)