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1. (WO2012043383) ETCHING METHOD, AND DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/043383    International Application No.:    PCT/JP2011/071638
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 22.09.2011
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/24 (2006.01)
Applicants: SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308565 (JP) (For All Designated States Except US).
KUNUGI Shunsuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MAYUMI Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KUNUGI Shunsuke; (JP).
MAYUMI Satoshi; (JP)
Agent: WATANABE Noboru; 3rd Floor, Gobancho KU Building 10 Gobancho, Chiyoda-ku Tokyo 1020076 (JP)
Priority Data:
2010-217048 28.09.2010 JP
Title (EN) ETCHING METHOD, AND DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE ET DISPOSITIF
(JA) エッチング方法及び装置
Abstract: front page image
(EN)To easily control the amount of etching on a silicon-containing material. In a pre-treatment step, a treatment fluid containing a second oxidative reaction component is sprayed from a pre-treatment nozzle (42) and is brought into contact with an object (9) to be treated. Subsequently, in an etching treatment step, while the object (9) to be treated is moved in a moving mechanism (20) so as to cut across a treatment space (39), a treatment gas containing a fluorine reaction component and a first oxidative reaction component is supplied to the treatment space (39) and is brought into contact with the object (9) to be treated.
(FR)La présente invention permet de contrôler facilement la quantité de gravure sur un matériau contenant du silicium. Dans une étape de prétraitement, un fluide de traitement contenant un deuxième composant de réaction oxydative est pulvérisé depuis un embout de prétraitement (42) et est mis en contact avec un objet (9) à traiter. Ensuite, dans une étape de traitement de gravure, tandis que l'objet (9) à traiter est déplacé dans un mécanisme de déplacement (20) de manière à couper à travers un espace de traitement (39), un gaz de traitement contenant un composant de réaction au fluor et un premier composant de réaction oxydatif est injecté dans l'espace de traitement (39) et est mis en contact avec l'objet (9) à traiter.
(JA) シリコン含有物のエッチング量の制御を容易化する。 前処理工程において、第2の酸化性反応成分を含有する処理流体を前処理ノズル42から吹き出して被処理物9に接触させる。次に、エッチング処理工程において、移動機構20にて被処理物9を処理空間39内を横切るように移動させながら、フッ素系反応成分及び第1の酸化性反応成分を含有する処理ガスを処理空間39に供給して被処理物9に接触させる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)