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1. (WO2012043170) Cu-Co-Si-BASED COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/043170    International Application No.:    PCT/JP2011/070275
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 06.09.2011
IPC:
C22C 9/06 (2006.01), C22C 9/00 (2006.01), C22C 9/01 (2006.01), C22C 9/02 (2006.01), C22C 9/04 (2006.01), C22C 9/05 (2006.01), C22C 9/10 (2006.01), C22F 1/08 (2006.01), H01B 1/02 (2006.01), C22F 1/00 (2006.01)
Applicants: JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 6-3,Otemachi 2-chome,Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP) (For All Designated States Except US).
OKAFUJI,Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ONDA,Takuma [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUWAGAKI,Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OKAFUJI,Yasuhiro; (JP).
ONDA,Takuma; (JP).
KUWAGAKI,Hiroshi; (JP)
Agent: AXIS Patent International; Yushi Kogyo Kaikan,13-11,Nihonbashi 3-chome,Chuo-ku, Tokyo 1030027 (JP)
Priority Data:
2010-219694 29.09.2010 JP
Title (EN) Cu-Co-Si-BASED COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ALLIAGE DE CUIVRE À BASE DE CUIVRE-COBALT-SILICIUM POUR UN MATÉRIAU ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CE DERNIER
(JA) 電子材料用Cu-Co-Si系銅合金及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A Cu-Co-Si-based alloy that has even mechanical properties and that is provided with favorable mechanical and electrical properties as a copper alloy for an electronic material is provided. The copper alloy for an electronic material contains 0.5-3.0 mass% of Co and 0.1-1.0 mass% of Si, the remainder comprising Cu and unavoidable impurities; the average crystal grain size is 3-15 µm; and the average of the difference between the maximum crystal grain size and the minimum crystal grain size for every 0.05 mm2 of a field of observation is no greater than 5 µm.
(FR)La présente invention se rapporte à un alliage à base de cuivre (Cu)- cobalt (Co)- silicium (Si) qui présente les mêmes propriétés mécaniques que celles d'un alliage de cuivre pour un matériau électronique et qui est pourvu des propriétés mécaniques et électriques aussi bonnes que celles de l'alliage de cuivre pour un matériau électronique. L'alliage de cuivre pour un matériau électronique contient une quantité de cobalt (Co) comprise entre 0,5 et 3,0 % en masse et une quantité de silicium (Si) comprise entre 0,1 et 1,0 % en masse, le reste comprenant du cuivre (Cu) et des impuretés inévitables; la taille moyenne des grains cristallins varie entre 3 et 15 µm; et la moyenne de la différence entre la taille maximale des grains cristallins et la taille minimale des grains cristallins tous les 0,05 mm2 d'un champ d'observation est inférieure ou égale à 5 µm.
(JA) 電子材料用の銅合金として好適な機械的及び電気的特性を備え、機械的特性の均一なCu-Co-Si系合金を提供する。電子材料用銅合金は、Co:0.5~3.0質量%、Si:0.1~1.0質量%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる電子材料用銅合金であって、平均結晶粒径が3~15μmであり、観察視野0.05mm2毎の最大結晶粒径と最小結晶粒径の差の平均が5μm以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)