WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012043164) THERMAL FLOW RATE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/043164    International Application No.:    PCT/JP2011/070222
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 06.09.2011
IPC:
G01F 1/692 (2006.01)
Applicants: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503 (JP) (For All Designated States Except US).
ASANO Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUMOTO Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKANO Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ASANO Satoshi; (JP).
MATSUMOTO Masahiro; (JP).
NAKANO Hiroshi; (JP)
Agent: HIRAKI Yusuke; Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232 (JP)
Priority Data:
2010-220248 30.09.2010 JP
Title (EN) THERMAL FLOW RATE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE DÉBIT THERMIQUE
(JA) 熱式流量センサ
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a compact and high-precision thermal flow rate sensor which achieves a reduction in the change of the detection sensitivity of a sensor element due to the change of the flow direction of an airflow. An embodiment of the present invention is a thermal flow rate sensor which comprises a cavity part (2) formed on a semiconductor substrate (1), an electric insulating film formed so as to cover the cavity part (2), a heat generation resistor (4) formed on the electric insulating film, a temperature-sensitive resistor formed near the heat generation resistor, an electrode part (11) produced from a conductor and disposed approximately parallel to the peripheral edge of a peripheral edge part of the semiconductor substrate, and a wiring part (5) electrically connecting the electrode part and the heat generation resistor, and detects the flow rate of a fluid to be measured on the basis of the amount of heat transferred between the fluid to be measured and the temperature-sensitive resistor, wherein the thermal resistance is adjusted such that the thermal resistance of a first region configured from one side on the electrode part side of the heat generation resistor and one side on the electrode part side of the cavity part and the thermal resistance of a second region configured from another side facing the one side of the heat generation resistor and another side facing the one side of the cavity part are approximately equal.
(FR)L'objet de la présente invention consiste à proposer un capteur de débit thermique compact et de grande précision, qui obtient une diminution du changement de la sensibilité de détection d'un élément de détection dû au changement de la direction de l'écoulement d'un flux d'air. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un capteur de débit thermique qui comprend une partie cavité (2) formée sur un substrat semi-conducteur (1), un film isolant électrique formé de façon à couvrir la partie cavité (2), une résistance de génération thermique (4) formée sur le film isolant électrique, une résistance sensible à la température formée près de la résistance de génération thermique, une partie électrode (11) produite à partir d'un conducteur et disposée de façon approximativement parallèle au bord périphérique d'une partie bord périphérique du substrat semi-conducteur, et une partie câblage (5) reliant électriquement la partie électrode et la résistance de génération thermique, et qui détecte le débit d'un fluide devant être mesuré sur la base de la quantité de chaleur transférée entre le fluide devant être mesuré et la résistance sensible à la température. La résistance thermique est ajustée de sorte que la résistance thermique d'une première région configurée à partir d'un côté sur le côté de la partie électrode de la résistance de génération thermique et d'un côté sur le côté de la partie électrode de la partie cavité et la résistance thermique d'une seconde région configurée à partir d'un autre côté opposé au côté de la résistance de génération thermique et d'un autre côté opposé au côté de la partie cavité sont pratiquement égales.
(JA)本発明の目的は、空気流の流れ方向の変化によるセンサ素子の検出感度の変化を低減し、小型・高精度な熱式流量センサを提供することにある。 本発明の実施形態は、半導体基板1上に形成した空洞部2と、前記空洞部2を覆うように形成した電気絶縁膜と、前記電気絶縁膜上に形成した発熱抵抗体4と、前記発熱抵抗体の近傍に形成した感温抵抗体と、前記半導体基板の周縁部において周縁に対して略並行に配置した導電体からなる電極部11と、前記電極部と前記発熱抵抗体とを電気的に接続する配線部5とを有し、被計測流体と前記感温抵抗体との伝熱量に基づいて被計測流体の流量を検出する熱式流量センサにおいて、前記発熱抵抗体の前記電極部側の一辺と前記空洞部の前記電極部側の一辺とからなる第1領域の熱抵抗と、前記発熱抵抗体の一辺と対向する他辺と前記空洞部の一辺と対向する他辺とからなる第2領域の熱抵抗とがほぼ等しくなるように熱抵抗を調整する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)