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1. (WO2012043154) METHOD FOR FORMING Ge-Sb-Te FILM AND STORAGE MEDIUM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/043154    International Application No.:    PCT/JP2011/070150
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 05.09.2011
IPC:
C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (For All Designated States Except US).
KAWANO Yumiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARIMA Susumu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KAWANO Yumiko; (JP).
ARIMA Susumu; (JP)
Agent: TAKAYAMA Hiroshi; Sangenjaya Horisho Bldg. 2F 1-12-39 Taishido Setagaya-ku, Tokyo 1540004 (JP)
Priority Data:
2010-218529 29.09.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR FORMING Ge-Sb-Te FILM AND STORAGE MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM DE Ge-Sb-Te, ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) Ge-Sb-Te膜の成膜方法および記憶媒体
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a Ge-Sb-Te film, wherein a substrate is disposed within a process chamber and a gaseous Ge material, a gaseous Sb material and a gaseous Te material are introduced into the process chamber, so that a Ge-Sb-Te film formed of Ge2Sb2Te5 is formed on the substrate by CVD. The method for forming a Ge-Sb-Te film comprises: a step (step 2) wherein the gaseous Ge material and the gaseous Sb material or alternatively a small amount of the gaseous Te material not sufficient for forming Ge2Sb2Te5 in addition to the the gaseous Ge material and the gaseous Sb material are introduced into the process chamber so that a precursor film, which does not contain Te or contains Te in an amount smaller than that in Ge2Sb2Te5, is formed on the substrate; and a step (step 3) wherein the gaseous Te material is introduced into the process chamber and the precursor film is caused to adsorb Te, so that the Te concentration in the film is adjusted.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film de Ge-Sb-Te dans lequel un substrat est disposé dans une chambre de traitement et un matériau gazeux de Ge, un matériau gazeux de Sb et un matériau gazeux de Te sont introduits dans la chambre de traitement de manière à former par CVD sur le substrat un film de Ge-Sb-Te constitué de Ge2Sb2Te5. Ledit procédé de formation d'un film de Ge-Sb-Te comprend une étape (étape 2) dans laquelle le matériau gazeux de Ge et le matériau gazeux de Sb ou bien une petite quantité du matériau gazeux de Te insuffisante pour former du Ge2Sb2Te5 en plus du matériau gazeux de Ge et du matériau gazeux de Sb sont introduits dans la chambre de traitement de manière à former sur le substrat un film de précurseur qui ne contient pas de Te ou qui contient du Te dans une quantité inférieure à celle de Ge2Sb2Te5, et une étape (étape 3) dans laquelle le matériau gazeux de Te est introduit dans la chambre de traitement et le film de précurseur est amené à adsorber du Te de manière à ajuster la concentration de Te dans le film.
(JA) 処理容器内に基板を配置し、気体状のGe原料と、気体状のSb原料と、気体状のTe原料とを前記処理容器内に導入してCVDにより基板上にGeSbTeとなるGe-Sb-Te膜を成膜するGe-Sb-Te膜の成膜方法であって、気体状のGe原料および気体状のSb原料、または、それらに加えてGeSbTeが形成されない程度の少量の気体状のTe原料を、前記処理容器内に導入して基板上に、Teを含有しないかまたはGeSbTeよりも少ない量のTeを含有する前駆体膜を形成する工程(工程2)と、気体状のTe原料を処理容器内に導入し、前駆体膜にTeを吸着させて膜中のTe濃度を調整する工程(工程3)とを有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)