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1. (WO2012043070) METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/043070    International Application No.:    PCT/JP2011/068193
Publication Date: 05.04.2012 International Filing Date: 09.08.2011
IPC:
H01L 31/10 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031 (JP) (For All Designated States Except US).
MITSUI Tetsuro; (For US Only).
KURAMOTO Yuki; (For US Only)
Inventors: MITSUI Tetsuro; .
KURAMOTO Yuki;
Agent: TAKAMATSU Takeshi; Koh-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2010-216104 27.09.2010 JP
2011-169649 02.08.2011 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 光電変換素子の製造方法、固体撮像素子、撮像装置
Abstract: front page image
(EN)To improve the heat resistance of a photoelectric conversion element which has a light receiving layer that contains an organic material without narrowing the range of options for the material of the light receiving layer. Disclosed is a method for manufacturing a photoelectric conversion element, which comprises: a first step wherein a plurality of pixel electrodes (104) are formed on an insulating layer (102); a second step wherein a light receiving layer (107) that contains an organic material is formed on the plurality of pixel electrodes (104); and a third step wherein a counter electrode (108) is formed on the light receiving layer (107). The first step is composed of: a step for forming a film of a pixel electrode material on the insulating layer (102); a step for patterning the thus-formed film of the pixel electrode material; and a step for heating the substrate after the patterning at 270˚C or higher.
(FR)Le but de l'invention est d'améliorer la résistance à la chaleur d'un élément de conversion photoélectrique qui comporte une couche de réception de lumière contenant un matériau organique sans réduire la gamme d'options pour le matériau de la couche de réception de lumière. L'invention concerne donc un procédé de fabrication d'un élément de conversion photoélectrique, lequel procédé comprend une première étape dans laquelle une pluralité d'électrodes de pixels (104) est formée sur une couche isolante (102), une deuxième étape dans laquelle une couche de réception de lumière (107) qui contient un matériau organique est formée sur la pluralité d'électrodes de pixels (104), et une troisième étape dans laquelle une contre-électrode (108) est formée sur la couche de réception de lumière (107). La première étape se décompose en une étape de formation d'un film de matériau d'électrode de pixel sur la couche isolante (102), une étape de modelage du film de matériau d'électrode de pixel ainsi formé, et une étape de chauffage du substrat après le modelage à une température d'au moins 270 °C.
(JA) 有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。 絶縁層102上に複数の画素電極104を形成する第一の工程と、複数の画素電極104の上に有機材料を含む受光層107を形成する第二の工程と、受光層107上に対向電極108を形成する第三の工程とを備え、第一の工程は、絶縁層102上に画素電極材料を成膜する工程と、成膜した前記画素電極材料の膜をパターニングする工程と、前記パターニング後の前記基板を270℃以上で加熱する工程とで構成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)